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Major Member
 加入日期: Aug 2005
文章: 252
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我還是懷疑45nm(High k+Metal gate)對時脈的提升性
45nm上市好像有一陣子了?
但在下很少在注意超頻這方面的訊息和新聞 雖然有看過一些45nm超到4Ghz的文章 不過除非Intel真的拿出高時脈的產品在市場上正式供貨 不然我還是很懷疑45nm(High k+Metal gate)對時脈的提升性 空冷狀態下真的每顆都很好超嗎? 強烈懷疑 不知道有買45nm的玩家使用狀況如何? |
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2008-03-12, 07:07 PM
#1
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Master Member
  
加入日期: Mar 2005
文章: 1,653
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大概是英特爾覺得牛肉不需要這麼早端出來吧......
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中央處理器：Intel Core 2 Duo E8400 主機板：GA-EP45-DS3R 記憶體：創見 aXeRAM DDR2 800 2GB*2 顯示卡：技嘉 GV-N96TSL-1GI 音效卡：Creative X-Fi XtremeMusic 硬碟：Seagate ST1000DM003 光碟機：Pioneer 122A 燒錄器：Pioneer A10 電源供應器：海韻 SeaSonic X-SERIES 560W 新的產品總覺得都有一些小缺點... 也許是看法已經改變了... 完美又廉價的產品不再出現... |
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2008-03-12, 07:45 PM
#2
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Golden Member
加入日期: Nov 2000 您的住址: 戰星卡拉狄加
文章: 3,822
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E6000不加壓大約是3.2G~3.4G
E8000不加壓大約是3.4G~3.6G 其實不會差很多 但E8000預設電壓比E6000低0.1V左右 |
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2008-03-12, 09:12 PM
#3
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Master Member
加入日期: May 2004 您的住址: 桃園
文章: 2,371
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應該說45奈米主要改善了耗電量的問題吧
相對的CPU就可以更省電更低溫來運作 |
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2008-03-12, 09:45 PM
#4
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Golden Member
加入日期: Feb 2004 您的住址: 台灣首都
文章: 2,649
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簡單來說，以價格來看
65nm 3G的E6850 $266 45nm 3G的E8400 $186 65nm 每1美元可以買到11.27MHz 45nm 每1美元可以買到16.13MHz 以往65nm的core 2 duo 有些超頻的瓶頸是3.2G(加多少電壓都沒的超上去) 45nm的core 2 duo 只要加電壓，幾乎都能上4G 不過45nm的core 2 duo 好像比65nm的U，容易被電死~ 
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No.1 文書機 AMD Ryzen9 7950X3D(16核32執行緒)+貓頭鷹D15散熱器 / MSI X670E Tomahawk WIFI / Kingstron DDR5-6000 CL30 32G*2 MSI RTX4080 VENTUS 3X / Kingston Renegade G5 2TB Gen5 SSD系統碟 / Lexar NM790 4TB儲存碟+HR10 2280 PRO散熱器 MSI MPG A850GF PCIE5金牌 / MSI 321URX OLED 32吋4K+Ergotron LX螢幕架/ MSI 321UR QLED 32吋4K +Ergotron LX螢幕架 FD define 7 compact機殼 / 羅技G903無線滑鼠 + Powerplay無線充電鼠墊 / 羅技G913紅軸無線鍵盤 B&O Beolit 20喇叭 + Fiio K9 AKM DAC + Isoacoustics L8R130喇叭架 / Teachnics AZ100無線藍芽耳機 + Fiio BT11藍芽接收器 No.2 下載機 AMD Ryzen9-9950X (16核32執行緒)+貓頭鷹D15散熱器 / MSI X870E Carbon / Micron Crucial Pro DDR5-5600 192G(48G*4) EVGA RTX 3060Ti FTW3 / Kingston Renegade G5 1TB系統碟 +SEAGATE 16TB / 海盜船HX750 80Plus白金牌 / DELL P2421 24吋 No.3 影音機 AMD Ryzen9 7950X (16核32執行緒)+貓頭鷹D15散熱器 / MSI B650 Carbon wifi / Kingston Fury DDR5-6000 CL36 16G*2 MSI RTX3080 suprim刺客版/ Kingston 反叛者 2TB +MX500 2TB / Panasonic 65Z95A 65吋MLA OLED / MSI A850GF 80Plus金牌 CHERRY MX10.1 矮紅軸 無線競電機械鍵盤+羅技AnyWhere3滑鼠 / Focal Super Bird2.1喇叭 / Acer FA1000 2TB / XPG SX8200 2TB |
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2008-03-12, 09:57 PM
#5
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Junior Member
加入日期: Jun 2003
文章: 708
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手上使用的這顆 QX9650 預設就上 3.66 G 了 (1.23V)
之前那顆 Xeon X3230 (Q6700) 預設只能上 3.2G , 而且電壓還比較高 |
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2008-03-12, 10:31 PM
#6
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*停權中*
加入日期: Nov 2006
文章: 3,946
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High K和Metal Gate不是用來提升時脈
而是用來降低漏電的 目的是更省電、功耗/效能比更高、更低溫 時脈會不會更高倒是其次  |
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2008-03-13, 02:03 AM
#7
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Basic Member
加入日期: Oct 2002 您的住址: 台北
文章: 16
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引用:
觀念正確喔! High-K是用來補45nm的缺點的. 因為Carrier在這個時候不只是particle, 還帶有 wave. |
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2008-03-14, 04:40 AM
#8
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Power Member
加入日期: Jan 2006
文章: 658
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引用:
以為High-K 單純只是降低漏電…原來還是為了45nm 的高漏電做瀰補?! 不過這也可能了解前面大大說的比較易被電死?! 那若將High-K 做在65nm 上也否能大幅降低功秏?! 或是更耐高壓的超頻用CPU咩?! |
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2008-03-17, 01:06 AM
#9
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Elite Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: 港都
文章: 6,019
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引用:
主要是45nm下晶體閘極間距離縮短，漏電流增加，故需要Hi-K減低其漏電流，而65nm因為閘極距離較大，且製程技術已經純熟，不太需要Hi-K來做改善。 而45nm不耐電的原因是因為閘極距離短加上線路寬度細，電壓過大便容易發生擊穿或是加速電子遷移使線路斷線。 |
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2008-03-17, 01:49 AM
#10
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