我還是懷疑45nm(High k+Metal gate)對時脈的提升性
 

45nm上市好像有一陣子了?
但在下很少在注意超頻這方面的訊息和新聞
雖然有看過一些45nm超到4Ghz的文章
不過除非Intel真的拿出高時脈的產品在市場上正式供貨
不然我還是很懷疑45nm(High k+Metal gate)對時脈的提升性
空冷狀態下真的每顆都很好超嗎?
強烈懷疑
不知道有買45nm的玩家使用狀況如何?

大概是英特爾覺得牛肉不需要這麼早端出來吧...... :D

E6000不加壓大約是3.2G~3.4G
E8000不加壓大約是3.4G~3.6G

其實不會差很多
但E8000預設電壓比E6000低0.1V左右

應該說45奈米主要改善了耗電量的問題吧

相對的CPU就可以更省電更低溫來運作

簡單來說，以價格來看

65nm 3G的E6850 $266
45nm 3G的E8400 $186

65nm 每1美元可以買到11.27MHz
45nm 每1美元可以買到16.13MHz

以往65nm的core 2 duo 有些超頻的瓶頸是3.2G(加多少電壓都沒的超上去)
45nm的core 2 duo 只要加電壓，幾乎都能上4G

不過45nm的core 2 duo 好像比65nm的U，容易被電死~ :laugh:

手上使用的這顆 QX9650 預設就上 3.66 G 了 (1.23V)

之前那顆 Xeon X3230 (Q6700) 預設只能上 3.2G , 而且電壓還比較高

High K和Metal Gate不是用來提升時脈
而是用來降低漏電的
目的是更省電、功耗/效能比更高、更低溫
時脈會不會更高倒是其次 :)

觀念正確喔! High-K是用來補45nm的缺點的.
因為Carrier在這個時候不只是particle, 還帶有 wave.

以為High-K 單純只是降低漏電…原來還是為了45nm 的高漏電做瀰補?!
不過這也可能了解前面大大說的比較易被電死?!
那若將High-K 做在65nm 上也否能大幅降低功秏?!
或是更耐高壓的超頻用CPU咩?! :D

主要是45nm下晶體閘極間距離縮短，漏電流增加，故需要Hi-K減低其漏電流，而65nm因為閘極距離較大，且製程技術已經純熟，不太需要Hi-K來做改善。

而45nm不耐電的原因是因為閘極距離短加上線路寬度細，電壓過大便容易發生擊穿或是加速電子遷移使線路斷線。