[速度、時序比較] 廣穎電通Xpower DDR3-2133 4GB KIT之超頻體驗

hohohe12

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加入日期: May 2009

文章: 259

[速度、時序比較] 廣穎電通Xpower DDR3-2133 4GB KIT之超頻體驗

這陣子標準時脈的DDR3記憶體模組價格不斷滑落，引起蠻多人討論是哪個廠牌的單支DDR3 1333 4GB模組降到破千門檻，以容量、價格為主要採購考量的人，想必都趁此時出手把記憶體容量一次補足。小弟也沾上這次記憶體大降價熱潮，幫家裡電腦搭載的記憶體容量作了升級。

最近也自組Intel P67平台準備，把遊戲主機作升級，想當然我也是I社出包事件一員，現在也是靜靜等待後續換貨解決。P67新平台入手服役後，原本計畫手上使用年餘的DDR3 1600 4GB KIT記憶體模組繼續使用，但是它在之前使用記錄就是只能穩穩地運作於DDR3 1600，有時心血來潮玩玩CPU超頻，甚至必須調降記憶體速度才行，令人覺得總是有那麼美中不足。

對的東西應該擺在對的位置！是的，我應該是需要一組超頻記憶體模組產品才對！上網看看最近有哪些超頻記憶體模組產品符合需求，再看看當下口袋深度。

託友人幫忙入手這組廣穎電通推出Xpower系列的DDR3-2133 4GB KIT，東西到手後，回家上網查詢，這組套裝記憶體是Xpower系列最高速的雙通道版本，該系列還有DDR3-1600、1800、2000版本，這四款不同記憶體速度的模組都有雙通道 (2GBx2)及三通道(2GBx3)，完整支援Intel平台。

東西入手後，放上P67新平台運作後，也進行新玩具一連串的超頻體驗，這裡就跟大家分享。先行開箱介紹吧！

外包裝背面一側打印這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組是正港MIT貨，廣穎電通提供終身保固服務，工作電壓為1.65V，上機後才知道這樣電壓設定是啟用X.M.P.模式才需要，不然只需1.5V工作電壓。

另外，以圖示呈現這組Xpower DDR3-2133 4GB KIT散熱機制，每支記憶體模組搭載金黃色散熱片，感覺蠻酷炫的。散熱片採用「斜線剖溝」的方式來增加散熱面積。

拆了封膜，打開包裝盒，這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組現身！

這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組由兩隻容量是2GB的DDR3記憶體組成，相當顯眼的金黃色外觀，蠻大的散熱片面積，把這兩位正反面合照一張。

檢視產品資訊標籤，上面有標示這組2GB記憶體模組的產品編號，以及運作於DDR3 2133速度時，標準CL值為9。

檢視一下記憶體模組的PCB版，上頭標示著通過94V-0防火規範。

另一側PCB板上頭的數字，透露出這組2GB記憶體模組採用8層PCB版製作。

檢視單支記憶體模組的側邊，這個角度可以散熱片的剖溝造型，而且每片鋁製金黃色散熱片緊密貼合著記憶體顆粒。因為這個因素只好取消察看記憶體顆粒的念頭，個人深怕強行移開散熱片，記憶體顆粒會捨不得分手。

記憶體模組的兩面都有配置記憶體晶片，一共有16顆記憶體顆粒，這樣可以判斷出單顆記憶體顆粒容量是128Mx8。

在廣穎電通網站有找到這組Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組產品規格：
記憶體類型：Xpower DDR3 Memory
針腳及模組：240Pin Long-DIMM
頻率：DDR3-1600MHz / 1800MHz / 2000MHz / 2133MHz
功能：Unbuffer Non-ECC Memory
容量：4GB(2GBx2)
顆粒：128Mx8 (bit)
電壓：1.65 V
CL值：8 (1600MHz) / 9 (1800/2000/2133MHz)
保固：終身保固

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把Xpower DDR3-2133 4GB套裝記憶體模組上到最新（也剛出包）的Intel P67平台，測試模式期間把CORE i5 2500K OC 4.5 GHz，相關硬體配備列出。
處理器：Intel CORE i5 2500K (OC 4.5 GHz,100X45)
主機板：技嘉 P67A-UD4
主機板BIOS：F7b記憶體：Xpower DDR3-2133 2GBX2 (9-9-9-24)
硬碟：Seagate ST31000528AS-3Y/P 1TB
顯示卡：HD6870 (900/1050 MHz)
螢幕：ASUS VK266H（1920 X 1200）
電源供應器：ANTEC HCG 620W
顯示驅動程式：ATI Catalyst 11.1
主機板晶片驅動程式：Intel Chipset Device Software 9.2.0.1021、Intel Rapid Storage 10.1.0.1008
作業系統：Windows 7 Ultimate X32中文版

測試軟體包括PCMark 05（v1.02 Patch）、AID64_V1.50.1219 Beta：Cache & Memory Benchmark、Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)、MaxxMEM² - PreView v1.91、CrystalMark 2004R3軟體。

測試記憶體速度部分，原本規劃直接由DDR3 1600速度起跑，接著測試記憶體X.M.P（Extreme Memory Profile）設定。上機後發現，如果主機板BIOS沒有強制設定記憶體速度的話，那麼這組記憶體的預設速度會是DDR3 1333，工作時序為9-9-9-24-33。個人起初猜測是為了提高相容性，所以記憶體預設速度沒有設置為DDR3 1600，後來看到CPU-Z 1.56.2記憶體資訊，答案揭曉了，這是DDR3 1333記憶體特別挑選。

另外，經由CPU-Z 1.56.2記憶體資訊也發現，記憶體SPD值寫入4組，其中DDR3 2133以及2286兩組有通過英特爾的X.M.P認證，兩者工作時序相同，皆為9-10-9-24-51，工作電壓增至1.65V。看來這組記憶體稍微放慢CL值，並加強工作電壓來獲得更高工作時脈。

好了，有了這些狀況，這次測試規劃就由DDR3 1333開始，接著DDR3 1600設定，最後DDR3 2133、2286（X.M.P設定）。

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【DDR3 1333 CL＝9-9-9-24-33測試】

主機板BIOS沒有強制設定記憶體速度，記憶體的預設速度為DDR3 1333，經由CPU-Z 1.56.2察看P67A-UD4自動讀取記憶體的工作時序為9-9-9-24-33，與Xpower DDR3-2133內部SPD值相同。

＊PCMark 05（v1.02 Patch）
Memory：9732

＊AID64_V1.50.1219 Beta：Cache & Memory Benchmark。
Memory：
Read(MB/s)-16841
Write(MB/s)-20506
Copy(MB/s)-18201
Latency(ns)-52.5

2011-02-25, 08:05 PM #1

hohohe12

Major Member

加入日期: May 2009

文章: 259

＊Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth：
總體記憶體性能（GB/s）-17.6
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-17.6
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-17.62

※Memory Latency：
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-69.3
速度因素(n/a)-76.4
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-5.6
速度因素(n/a)-6.2

※Cache and Memory：
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-111.65
速度因素(n/a)-49

MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-19663
Memory-Read(MB/s)-17274
Memory-Write(MB/s)-20351
Reached memory score(GB/s)-18.81
Memory Latency(ns)-57.3

CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-18495.36
Write(MB/s)-8905.72
Read/Write(MB/s)-8953.11
Cache(MB/s)-140133

-------------------------分隔線-----------------------------------

【DDR3 1600 CL＝9-9-9-24-33測試】

直接於主機板BIOS內部設定記憶體速度為DDR3 1600，進入作業系統以CPU-Z 1.56.2察看P67A-UD4自動讀取記憶體的工作時序為9-9-9-24-33。

＊PCMark 05（v1.02 Patch）
Memory：10431

＊AID64_V1.50.1219 Beta：Cache & Memory Benchmark。
Memory：
Read(MB/s)-19468
Write(MB/s)-22126
Copy(MB/s)-20812
Latency(ns)-45.7

＊Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth：
總體記憶體性能（GB/s）-21.24
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-21.33
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-21.25

※Memory Latency：
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-61.5
速度因素(n/a)-67.7
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-5.3
速度因素(n/a)-5.9

※Cache and Memory：
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-119.68
速度因素(n/a)-40.5

MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-22377
Memory-Read(MB/s)-20002
Memory-Write(MB/s)-21547
Reached memory score(GB/s)-20.77
Memory Latency(ns)-50.8

CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-21971.4
Write(MB/s)-10786.73
Read/Write(MB/s)-10871.96
Cache(MB/s)-155206

-------------------------分隔線-----------------------------------

【DDR3 2133 CL＝9-10-9-24-51測試】

直接於主機板BIOS內部選取X.M.P設定的第一組，記憶體速度就會提高至DDR3 2134。試過選擇System Memory Multiplier項目為21.33時，記憶體速度也會同樣提高至DDR3 2134，主機板自動設定記憶體時序也與X.M.P設定的第一組相同。

選取第一組X.M.P設定下，進入作業系統以CPU-Z 1.56.2察看P67A-UD4自動讀取記憶體的工作時序為9-10-9-24-51，與Xpower DDR3-2133內部SPD值相同。

＊PCMark 05（v1.02 Patch）
Memory：11345

＊AID64_V1.50.1219 Beta：Cache & Memory Benchmark。
Memory：
Read(MB/s)-23629
Write(MB/s)-23187
Copy(MB/s)-24822
Latency(ns)-38.6

＊Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth：
總體記憶體性能（GB/s）-27.38
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-27.38
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-27.37

※Memory Latency：
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-52.7
速度因素(n/a)-59.1
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-4.8
速度因素(n/a)-5.3

※Cache and Memory：
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-131.17
速度因素(n/a)-31.9

MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-25820
Memory-Read(MB/s)-24617
Memory-Write(MB/s)-22546
Reached memory score(GB/s)-23.27
Memory Latency(ns)-43.8

CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-28489.48
Write(MB/s)-13818.85
Read/Write(MB/s)-13929.3
Cache(MB/s)-178935

-------------------------分隔線-----------------------------------

【DDR3 2240測試】

原先以為直接於主機板BIOS內部選取X.M.P設定的第二組，記憶體速度就會提高至DDR3 2240。結果P67A-UD4開放的記憶體比率最高只有21.33，即使選取第二組的X.M.P設定，記憶體速度也只是維持DDR3 2133。

那還有解決方案？透過提高CPU的BCLK頻率就能迎刃而解。問題是新一代Sandy Bridge處理器的BCLK頻率可超性不高，手上2500K處理器的BCLK頻率最多只能到105MHz，換算一下，根本沒法讓記憶體速度運作於DDR3 2240，所以這部份「殘念」！！！

試過選擇System Memory Multiplier項目為21.33時，記憶體速度也會同樣提高至DDR3 2134，主機板自動設定記憶體時序也與X.M.P設定的第一組相同。

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【DDR3 2236 CL＝9-10-9-24-51測試】

沒關係，既然無法直接執行DDR3 2240測試，換個方式來試試，把i5 2500K處理器的BCLK頻率增加至105MHz，選取System Memory Multiplier項目為21.33。進入作業系統後，以CPU-Z 1.56.2軟體察看，記憶體速度為DDR3 2236，工作時序設定與第一組的X.M.P值相同。

為了讓處理器運作穩定，所以處理器電壓設定為1.476V（CPU-Z 1.56.2軟體顯示）。

＊PCMark 05（v1.02 Patch）
Memory：11931

2011-02-25, 08:08 PM #2

hohohe12

Major Member

加入日期: May 2009

文章: 259

＊AID64_V1.50.1219 Beta：Cache & Memory Benchmark。
Memory：
Read(MB/s)-24688
Write(MB/s)-24353
Copy(MB/s)-26071
Latency(ns)-36.8

＊Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)
※Memory Bandwidth：
總體記憶體性能（GB/s）-28.75
整數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-28.76
浮點數 B/F iSSE2 記憶體頻寬（GB/s）-28.74

※Memory Latency：
Memory Access-Random
記憶體延遲(ns)-50.1
速度因素(n/a)-59.1
Memory Access-Linear
記憶體延遲(ns)-4.6
速度因素(n/a)-5.3

※Cache and Memory：
緩存/記憶體頻寬(GB/s)-139
速度因素(n/a)-32.1

MaxxMEM² - PreView v1.91
Memory-Copy(MB/s)-26853
Memory-Read(MB/s)-25770
Memory-Write(MB/s)-23734
Reached memory score(GB/s)-23.87
Memory Latency(ns)-41.7

CrystalMark 2004R3
Memory
Read(MB/s)-29926.68
Write(MB/s)-14539.82
Read/Write(MB/s)-14653.65
Cache(MB/s)-154235

DDR3 2236測試部分，額外加入LinX 0.6.4穩定燒機，沒有任何錯誤。

陸續跑完DDR3 1333、1600、2133、2236測試，把相關數據整理起來，比較一下不同時序、速度的效能、記憶體延遲時間差異。

先看在DDR3 1333、1600部份，可以瞭解相同時序下，記憶體速度提升之後，對於效能增加幅度。Sandra Lite 2011c (2011.1.17.30)的Memory Bandwidth、CrystalMark 2004R3項目所測得效能是提升最多，其次是MaxxMEM² - PreView v1.91項目。

在DDR3 2133、2236部份，當相同時序設定下，記憶體速度提升至DDR3 2236之後，效能增加幅度略低於前面DDR3 1333、1600部份。

調整工作時序，來獲得更高記憶體速度的情況，我把DDR3 1600來跟DDR3 2133、2236部份對比，瞭解記憶體效能增進影響。

由兩張數據比較來看，工作時序調降後，DDR3 1600到DDR3 2133的記憶體效能提升、減少記憶體延遲時間，明顯優於前面相同時序下的DDR3 1333、1600。

如果處理器、主機板可以讓記憶體速度往上增加，那麼記憶體效能增進更為明顯。

Xpower DDR3-2133 4GB KIT不是以低時序兼高速為主要訴求，但是具備兩組通過英特爾的X.M.P認證的DDR3 2133以及2286設定，還是能夠提供超頻記憶體之後的效能提升。用在INTEL平台可以隨手開啟INTEL X.M.P設定，馬上讓記憶體速度飛上去。

Xpower DDR3-2133 4GB KIT屬於超頻記憶體模組產品，售價比一般標準時脈的記憶體模組來的高貴，但是當我進行CPU超頻BCLK，它能夠提供的高時脈、穩定性，不怕跟不上BCLK頻率，導致需要調降記憶體速度，因而犧牲記憶體效能。

雖然最終記憶體速度只有超頻至DDR3 2236，而沒有體驗到DDR3 2286境界，但是兩者只有相差50Mhz，還算是有看到高時脈超頻所帶來效能增加。（有點安慰ing）

個人覺得美中不足一點，記憶體速度的預設標準只設定在DDR3 1333，這樣顯得有些保守，不如直接把預設標準速度提高至DDR3 1600，也省下進入BIOS手動指定記憶體速度的麻煩。

最後來個記憶體齊打交做為結束。

2011-02-25, 08:11 PM #3