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Amateur Member
![]() 加入日期: Jun 2002
文章: 32
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請問記憶體CL值
請問各位大大兩條相同容量和顆粒的記憶體
CL 2.5 和 CL 3 在效能上會差很多嗎? |
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Golden Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: May 2002
文章: 3,163
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差一點點
人體絕對感覺不出來 要用軟體測出分數才能分別 但現在為了爽度問題 當然要挑CL值低的
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往事只能回憶 |
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Amateur Member
![]() 加入日期: Jun 2002
文章: 32
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那再請問一下
小弟目前有兩條創建的512M DDR 400 要跑雙通道,但一條CL可以跑2.5 另一條只能3 顆粒都相同 我該把兩條都拿去換成都是CL 3 的嗎?(他們現在好像只有這條) 還是把CL 2.5 那條降成3跑就可以了? |
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*停權中*
加入日期: Apr 2004 您的住址: 台北永和
文章: 2,406
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引用:
CL可升(2.5~3)~沒問題 但CL要降~卻不是每條都OK的 |
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*停權中*
加入日期: Feb 2005
文章: 1,600
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還有CL1.5的,
爽度一流,可惜DDR400上不去,V大!高外頻固然好,參數最佳化也不差,只是200外頻與300外頻,感覺很明顯,參數一般來講都差不多了,再調差異不大而已.....
![]() 啊!我想起一個比喻了,馬力與扭力????! ![]() 此文章於 2005-02-05 03:27 PM 被 最後一個 編輯. |
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Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Apr 2004 您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
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CL:預充電時間 (CAS Latency)
通常簡稱CL。例如CL=3,表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。 所以時脈越高,CL值相對也較高..不過效能的差異會被高DDR時脈彌補過去... |
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Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Jul 2002 您的住址: 高雄
文章: 17,417
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引用:
二條一起拿去創見換就可以了,放心吧! 創見換貨是很乾脆的啦! ![]() CL2.5 的還是有,只是要花時間找而已。 此文章於 2005-02-06 12:33 PM 被 bob0123 編輯. |
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Amateur Member
![]() 加入日期: Nov 2004 您的住址: 潛藏空氣中..
文章: 39
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引用:
請問高時脈是指那個範圍以上呢? PC3200↑還是PC4800↑? 這位大大說的讓我鬆了一口氣 我一直在這小地方上鑽牛角尖 看了一些關於記憶體的基本常識 很猶豫到底要買2x256MB 400 CL3,還是2x256MB 400 CL2 我人在國外 這兩件在這邊相差1620 買CL2($4580)的那組我都快可以在台灣買2x512MB了 我想還是會買CL3的吧 |
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