MOSFET 一般翻譯成金氧半導體場效電晶體，可以拿來做開關用途或在線性區間做放大器。做開關時他是在飽和區間和cut-off 區間切換，在 ON 時 drain 和 source 兩隻腳間的壓降乘上通過的電流就是功率損耗，以熱的形式表現出來，所以 Vds 決定此顆 MOS 之發熱量, 除非導通電阻=0 否則 Vds 恆不 = 0，以目前半導體材料是否可以做到導通電阻 = 0 我頗有疑問（不然就不叫"半"導體了）

基本上 SWITCHING DC-DC 轉換用的 MOS 是當作開關用，所以如上述大大所述，Rds(on) 內阻會讓少部分的能量在 MOS 上消耗掉，所以 MOS 本身熱度會增加。尤其是這種電路通常用在高電流的狀況，如果 Rds(on) 高，則增加的熱度可不少。(所以主機板上絕對不是只有電容電容電容 )

例如可參考 IR 的型錄： http://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/...e&punchInID=336


當然，以線性方式做 DC-DC 轉換，就是刻意讓多餘電壓消耗在 MOS 上，所以這種轉換方式雖然比前者方便 (所需元件少)，不過以浪費能量的角度來看，會比較浪費。

開版的大大你貼的那張圖上的MOS是用來轉CPU電壓的..
有high side MOS和low side MOS
你只要想它是用來把12V 轉成1.65V 的CPU電壓就知道他的功率損耗有多高..
損耗的當然都是轉換成廢熱..
何況他要能承受數十安培的電流..不燙也難...

按照Intel的CPU供電設計要求，CPU供電應采用PWM的供電方式。在P3的時代，只需要單相的PWM供電；而當CPU昇級到P4時，因為對電流的要求進一步的提高，單相的供電方式已經不能滿足，這時就相應地產生了雙相、三相或更高檔的四相供電方式。
一個標準的轉換式電源供應器利用脈波寬度調變（Pulse Width Modulation）來調整輸入功率的大小，以供應適當的負載所需，脈波寬度調變器控制切換開關（通常利用Power MOSFET來達成）將DC輸入電壓切成一串電壓脈波，隨後利用變壓器和快速二極體將其轉成平滑的DC電壓輸出，這個輸出電壓隨即與一個參考電壓（這個電壓是電源供應器應該輸出的標準電壓值）做比較，所產生的電壓差回授至PWM的控制器，利用這誤差電壓訊號來改變脈波寬度的大小，如果輸出電壓過高，脈波寬度會減小，進而減小電源供應，使得輸出電壓回復至正常輸出值。

很簡單

有電流經過就會產生熱量

產生的熱量多寡則試不同的元件有不同的結果

現在電腦的耗電量這麼大

要散熱應該不稀奇吧

而且牽扯到跟素質有關係

實在是太籠統了

試問

有什麼是跟素質無關的

要散熱的最大原因是因為經過的電流大的關係

這銀星的文章我也看過不少

說真的

不敢茍同

看看就好

大電流的電壓轉換我想沒人用線性電路(發燒音響例外)，所以廢熱來源不在於 Vds = (12v-1.65v) * 電流, 那些 MOS 是用在開關用途，損耗的能量以 Vds-saturation * 電流 為主

你也說的很籠統!

對於 版主的問題

我只能說

不敢茍同


上面幾篇有理由

小弟都是用散熱方塊來散熱的