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everspiral
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加入日期: Nov 2004
您的住址: 北平西路3號
文章: 4,614
引用:
作者艾克萊爾
應該是視晶圓代工廠提供的白皮書決定技術走向得

如果不是tsmc已經在對客戶提供3D封裝得早期參考規格表(tsmc這個技術不是要到20nm以下時才要開始使用嗎...),那就是其他具備3D封裝得代工廠(英特爾?)有給nv類似資料讓nv可以先進行早期開發...




TSMC有在28nm節點嘗試,但研發不順利



TSV這不是封裝的技術,而是更先進的晶圓製程

奈米碳管的製作,這還要看TSMC是採用先導孔還是後導孔

雖然不知道TSMC會用時麼樣的氣體來製作,但一定是非常地不環保也不衛生
     
      
舊 2013-03-22, 02:03 PM #11
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everspiral離線中  
CATANDDOGGO
Regular Member
 

加入日期: Dec 2004
文章: 51
總覺得是為了轉單給intel再找藉口

台G電小心白忙了一場


Tegra 4只聞樓梯響,還是沒看到有廠商再用
Tegea 5/6 再不整合好,單都會被高通吃光光吧
 
舊 2013-03-23, 10:19 PM #12
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CATANDDOGGO離線中  
路過
Advance Member
 
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加入日期: Apr 2005
文章: 479
我原本以為Maxwell之後是Lorentz,接下來是Einstein,最後是Bohr或Planck
最終可能是Dirac或Schrödinger

看來我猜錯了....
__________________
提高計算速度的方法不只一種。
平行計算只是一種提高效率的方式,具有不確定性與複雜性。關於提高效率的方式,存在著各種不同的理論。
對於我們來說,那並不是完美的東西。
舊 2013-03-24, 12:10 AM #13
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路過離線中  
airitter
Master Member
 
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加入日期: Sep 2003
文章: 2,102
引用:
作者everspiral
我認為NV似乎犯了跟AMD CPU一樣的毛病

東西設計得很好,但很難做出來

http://news.mydrivers.com/img/20130...96241325e39.jpg

照NV的這張圖,看起來不是TSV而是SiP

問題是3D封裝技術成熟了嗎?

要疊5層耶! 2層就已經不容易了, 很容易變成比薩斜塔

再來面積這麼大,堆疊後烘烤可能會彎曲...

做出來的東西會像IVY一樣有散熱問題


應該不太會彎曲 畢竟已經封裝在裡面了

最大的問題就像是你說的散熱問題 所以晶圓要做的夠薄才可以

不過他畫出來的好像不是他的產品
上面也只寫"支援" 並不是寫"會用"
講一講 如果供應商沒出來他也可以嘴砲一下
__________________
[ExtremeTech]VGAMaster
舊 2013-03-24, 01:19 AM #14
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airitter離線中  
everspiral
Elite Member
 
everspiral的大頭照
 

加入日期: Nov 2004
您的住址: 北平西路3號
文章: 4,614
引用:
作者CATANDDOGGO
總覺得是為了轉單給intel再找藉口

台G電小心白忙了一場


Tegra 4只聞樓梯響,還是沒看到有廠商再用
Tegea 5/6 再不整合好,單都會被高通吃光光吧



因為Tegra 4i根本就是騙錢的東西

Tegra 4又只能用在平板上,等2014Q1年... 剛好NV又在一次被Apple在規格上殺爆

所以只好一直出PPT...
舊 2013-03-25, 12:15 AM #15
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everspiral離線中  
chowtom
Master Member
 

加入日期: Sep 2001
文章: 2,448
引用:
作者everspiral
因為Tegra 4i根本就是騙錢的東西

Tegra 4又只能用在平板上,等2014Q1年... 剛好NV又在一次被Apple在規格上殺爆

所以只好一直出PPT...

到Tegra5/6出來之前Tegra4還是沒人想用的話
空了一整個世代 我想應該很難再讓廠商回頭去用了
不同廠商Kernel完全不通用 甚至連解決問題獲取的經驗也無法延用

Tegra3可能讓不少廠商都記取經驗了
紅茶店繼One X之後又轉去用高通了
石頭好像新產品的規劃也對Tegra保持距離
被GOOGLE收走的MOTO繼XOOM跟Artix後也沒在採用Tegra 傳說中的XPhone則情況未明
砲董的Tegra到底做了啥讓幾家廠商都對他興趣缺缺
舊 2013-03-25, 12:48 AM #16
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chowtom離線中  
orakim
Master Member
 

加入日期: Sep 2003
文章: 1,810
引用:
作者路過
我原本以為Maxwell之後是Lorentz,接下來是Einstein,最後是Bohr或Planck
最終可能是Dirac或Schrödinger

看來我猜錯了....

開發代號的命名都還蠻有趣的
像AMD Duron 的Spitfire 噴火 看起來就很燙
只不過後來噴火的印象整個被intel 的P4 拿走,比較少人知道真的有個cpu 叫噴火

nv的tesla也是如此,知道tesla對AC貢獻的人 比較少
但提到tesla coil ,只要看過的人都不會忘記吧;nv的tesla 印象剛好跟tesla coil 有重疊

vlota 我想該不會又是爆肝工程師的命符其實的命名吧 (很缺電池,很不缺電池; sa~dochi!)

> 應該不太會彎曲 畢竟已經封裝在裡面了
與其說彎曲不如說怕對不準吧
之前待的半導體代工公司,有做via這個製程 (雖然不是Dram的,也不是silicon的)
過程是frontside製程弄好 切薄貼上sapphire上 再進行back-side via
wafer 整個弄好 厚度可能比鋁箔紙還薄 (沒有實際量過厚度)
值班時不小心凸到幾次wafer,邊緣就直接撕裂
(就像做工不良的燒錄片 邊緣鍍層被掀開的樣子)

我想tsv 重點在back-side via 要跟 front side 接的上
alignment 這個東西在photo 有各種參考點可以對 還算可以輕易辦到
已經做好的wafer 要怎麼疊,我還沒看過(之前代工的產品 推測應該也不需要疊)
何況一個正面一個背面 又薄 又要疊五,想到就頭皮發麻

此文章於 2013-03-25 12:54 AM 被 orakim 編輯.
舊 2013-03-25, 12:49 AM #17
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