![]() |
||
Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Apr 2004 您的住址: 港都
文章: 6,019
|
目前高效率電源內部主要的發熱點
目前高效率電源(金牌/白金)主要會發熱的點在:
1.輸入端橋式整流 2.APFC開關晶體與電感 3.主變壓器及二次側同步整流 4.3.3V/5V DC-DC 其中又以輸入端橋式整流及變壓器及二次側同步整流MOSFET的升溫現象最為明顯 目前廠商針對這些熱點主要的改善項目: 1.採用無橋APFC電路,捨棄傳統Boost APFC前端需要使用的輸入端橋式整流元件 2.APFC開關晶體採用低阻抗型MOSFET或是採用交錯式設計(兩組開關晶體交錯運作) 3.主變壓器二次側使用片狀繞組並縮短路徑以減小阻抗減少發熱 4.二次側同步整流使用多顆低阻抗MOSFET並聯,同樣縮短與二次側繞組的路徑 5.使用高效率DC-DC電路轉換3.3V/5V 下圖為ANTEC HCP-850於中度負載輸出的熱影像圖 ![]() |
|||||||
![]() |
![]() |
Power Member
![]() ![]() 加入日期: Oct 2012
文章: 630
|
75~76度耶
吹出來的風應該4~50度應該有? 不過之前(忘記那顆了)摸功率晶體散熱片溫度感覺,明顯燙於>橋式整流溫度 印象是雙晶順向,單磁性放大機種 |
||
![]() |
![]() |
Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Apr 2004 您的住址: 港都
文章: 6,019
|
引用:
所以才會說"目前高效率機種" 早期電源二次側多採用SBD,在二次側大電流下其壓降特性造成的損失會比目前使用MOSFET同步整流要高出許多 |
|
![]() |
![]() |