開發代號的命名都還蠻有趣的
像AMD Duron 的Spitfire 噴火 看起來就很燙
只不過後來噴火的印象整個被intel 的P4 拿走,比較少人知道真的有個cpu 叫噴火

nv的tesla也是如此,知道tesla對AC貢獻的人 比較少
但提到tesla coil ,只要看過的人都不會忘記吧;nv的tesla 印象剛好跟tesla coil 有重疊

vlota 我想該不會又是爆肝工程師的命符其實的命名吧 (很缺電池,很不缺電池; sa~dochi!)

> 應該不太會彎曲 畢竟已經封裝在裡面了
與其說彎曲不如說怕對不準吧
之前待的半導體代工公司,有做via這個製程 (雖然不是Dram的,也不是silicon的)
過程是frontside製程弄好 切薄貼上sapphire上 再進行back-side via
wafer 整個弄好 厚度可能比鋁箔紙還薄 (沒有實際量過厚度)
值班時不小心凸到幾次wafer,邊緣就直接撕裂
(就像做工不良的燒錄片 邊緣鍍層被掀開的樣子)

我想tsv 重點在back-side via 要跟 front side 接的上
alignment 這個東西在photo 有各種參考點可以對 還算可以輕易辦到
已經做好的wafer 要怎麼疊,我還沒看過(之前代工的產品 推測應該也不需要疊)
何況一個正面一個背面 又薄 又要疊五,想到就頭皮發麻