引用:
作者visionary_pcdvd
請教狼大  ,被擊穿的那相(Low Side MOSFET),是因為其MOSFET本身有輕微瑕疵的可能性較大,還是PWM分配工作單位時間不均造成該相負擔特別重的可能性較大,還是有其他常見的原因?
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在下不才的推論:
1.輸出瞬間超載,導致於該時序正在運作的相(Phase)中mosfet超出Pd、Ids-max,雖然MOSFE有一定承受瞬間超載得能力,但過頭還是會爆的。不過這問題比較容易在1+1的設計中,照理成雙成對的比較不會有這種現象。
2.MOSFET製造瑕疵,在製造中因過多雜質攙入晶粒中,導致在大電流下在晶粒上因雜質的阻抗產生過熱點,導致掛點。
3.該區過熱,使MOSFET因高溫而使電流超出安全作業區(SOA)規格外,所以掛點。
4.Driver/Controller信號受干擾或產生內部振盪現象,因信號異常使MOSFET誤動作,不該ON時卻ON,或是OFF太慢,導致損壞。交換式電源電路中的輸入電感有一部份功能就是避免發生高頻振盪現象。
不過還是要看原廠處理如何就是~