作者LSI狼

主要是45nm下晶體閘極間距離縮短，漏電流增加，故需要Hi-K減低其漏電流，而65nm因為閘極距離較大，且製程技術已經純熟，不太需要Hi-K來做改善。

而45nm不耐電的原因是因為閘極距離短加上線路寬度細，電壓過大便容易發生擊穿或是加速電子遷移使線路斷線。