引用:
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作者supstring
以為High-K 單純只是降低漏電…原來還是為了45nm 的高漏電做瀰補?!
不過這也可能了解前面大大說的比較易被電死?!
那若將High-K 做在65nm 上也否能大幅降低功秏?!
或是更耐高壓的超頻用CPU咩?!  |
主要是45nm下晶體閘極間距離縮短，漏電流增加，故需要Hi-K減低其漏電流，而65nm因為閘極距離較大，且製程技術已經純熟，不太需要Hi-K來做改善。
而45nm不耐電的原因是因為閘極距離短加上線路寬度細，電壓過大便容易發生擊穿或是加速電子遷移使線路斷線。