快閃記憶體變身固態硬碟 零轉速、硬碟效率更快速
http://mag.udn.com/mag/it/storypage.jsp?f_ART_ID=76121

對於FLASH晶片有點研究的人，應該很快就發現到一個問題：「這種晶片不是有一定的讀寫次數嗎？」嗯！非常正確，快閃記憶體（Flash memory）的寫入次數約為數十萬次到百萬次。所以廠商在設計SSD時，必須針對讀寫區塊做最佳化的分配，用不同的演算法監控每一個區塊的寫入次數，避免特定區塊存取次數過度。


對於FLASH晶片有點研究的人，應該很快就發現到一個問題：「這種晶片不是有一定的讀寫次數嗎？」嗯！非常正確，快閃記憶體（Flash memory）的寫入次數約為數十萬次到百萬次。所以廠商在設計SSD時，必須針對讀寫區塊做最佳化的分配，用不同的演算法監控每一個區塊的寫入次數，避免特定區塊存取次數過度。

USB口袋型硬碟：資料隨身走的好幫手
http://taiwan.cnet.com/enterprise/t...20054064,00.htm

快閃記憶容量會有遞減效應
由於快閃記憶體的電氣充放電特性，使得它的讀寫次數有物理上的限制。對一個快閃記憶體區塊的讀寫，廠商會在內部韌體做到讀寫次數的計數，達到讀寫指定的最高次數，就會把那一塊區塊標定為不再使用的區域，所以快閃記憶卡是有可能在極度頻繁的使用下，容量越用越小。對於快閃記憶體的使用管理，是一個重要的課題，包括如壞區塊的位置紀錄與取代，以及讀寫次數的計數，還有讀出資料的錯誤偵測與更正等。這部分已有廠商生產控制器，來對一顆快閃記憶體做好管理。讓快閃記憶體的應用如一顆硬碟一樣方便。

新一代非揮發性記憶體（上）
http://big5.nikkeibp.co.jp/china/ne...0310130109.html

快閃記憶體採用的結構是：在源極和漏極之間電流單向傳導的半導體上形成貯存電子的浮動棚。浮動柵包裹著一層矽氧化膜絕緣體。它的上面是在源極和漏極之間控制傳導電流的控制柵。數據是0或1取決於在矽底板上形成的浮動柵中是否有電子。有電子為0，無電子為1。

　　快閃記憶體就如同其名字一樣，寫入前刪除數據進行初始化。具體說就是從所有浮動柵中導出電子。即將有所數據歸“1”。 寫入時只有數據為0時才進行寫入，數據為1時則什麼也不做。寫入0時，向柵電極和漏極施加高電壓，增加在源極和漏極之間傳導的電子能量。這樣一來，電子就會突破氧化膜絕緣體，進入浮動柵。

　　讀取數據時，向柵電極施加一定的電壓，電流大為1，電流小則定為0。浮動柵沒有電子的狀態（數據為1）下，在柵電極施加電壓的狀態時向漏極施加電壓，源極和漏極之間由於大量電子的移動，就會產生電流。而在浮動柵有電子的狀態（數據為0）下，溝道中傳導的電子就會減少。因為施加在柵電極的電壓被浮動柵電子吸收後，很難對溝道產生影響。

如上所述，由於快閃記憶體要進行“突破氧化膜”這一劇烈動作，因此速度和可擦寫次數均存在一定的限制。隨著反覆的寫入，氧化膜就會老化。快閃記憶體可擦寫次數一般被限制在100萬次左右。（未完待續，記者：堀切 KAHORI）