最近的新聞與消息，提供大家參考。根據文中所述，SLC 轉 MLC 可帶來容量倍增，但難度較高，出錯問題較大。難怪之前看版上有許多網友較鐘情 SLC 的快閃記憶體。
不過未來技術改良後，MLC 鐵定是要角囉。
第一篇小弟推薦閱讀，之後兩篇新聞瀏覽即可。
對比最新晶片 解讀NAND快閃記憶體兩強爭霸
http://www.eettaiwan.com/ART_880043...62b41200610.HTM
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上網時間 : 2006年10月27日
引用:
(節錄) ...從歷史來看，三星將研發重點集中在單層單元(SLC)上。SLC架構中每個快閃記憶體單元只能儲存1位元的資訊。而東芝在轉向先進製程技術方面同樣積極，不過其競爭優勢在於多層單元(MLC) NAND快閃記憶體方面的設計經驗和能力。MLC快閃記憶體在每個記憶體單元儲存2位元資訊，使東芝能在特定面積的矽晶片上儲存更多位元資訊，並在記憶體尺寸既定的情況下降低生產成本。因此，儘管東芝在製程技術上可能落後於三星，但在晶片密度上仍然領先...
...MLC快閃記憶體技術並非沒有不足，實際上，在採用先進製程生產MLC快閃記憶體方面困難重重。隨著快閃記憶體技術的演進，在浮動閘 (floating gate)中儲存的電荷總量減少了，使得檢測儲存的資訊變得更加困難，尤其是對MLC晶片而言，它需要識別四個電壓值，而非兩個。儘管如此，東芝在 70nm製程中保證採用與90nm技術相同的程式碼糾錯方案。這顯示該公司並沒有放慢MLC技術微縮的步伐，至少就現階段而言仍然如此。
此外，與SLC快閃記憶體相較，MLC快閃記憶體在可靠性方面存在不足。雖然對於消費者而言，可靠性並非其關注的核心問題，但在其它消費市場卻顯然是一個缺點。
...這些公司使NAND市場的競爭更加激烈；但至少在目前，三星和東芝仍然是市場和技術的領先者。
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三星MLC晶片又惹風波 控制晶片廠忙翻天
支援63奈米製程不易 客戶產品受延誤、引爆求償問題
http://www.digitimes.com.tw/n/artic...82572120047184E
（記者連于慧／台北） 2006/10/26
引用:
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(節錄) 三星電子（Samsung Electronics）MLC（Multi-Level Cell）晶片又惹風波！近期因為63奈米製程的MLC晶片架構更動，多家控制晶片業者來不及反應，產生相容性問題，有模組廠在生產線上的新產品受影響，傳出要求賠償的風波，目前控制晶片業者已加緊腳步更改設計，全力配合客戶出貨，設計公司表示，過去類似相容性的問題也曾發生，然這次因為整個NAND型快閃記憶體（Flash）產業由SLC（Single-Level-Cell）製程轉換至MLC，挑戰度屬於高標，對控制晶片業者而言，無疑是相當嚴峻的考驗...
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新聞評析－小環節出錯、全盤皆輸 控制晶片業者膽戰心驚
http://www.digitimes.com.tw/n/artic...8257212004719E4
MLC製程挑戰嚴峻 未來將更加戰戰兢兢
（記者連于慧／特稿） 2006/10/26
引用:
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(節錄) 控制晶片在記憶卡或是隨身碟上，角色本來就位居樞紐，然當整個NAND型快閃記憶體（Flash）產業的主流從SLC（Single-Level-Cell）製程轉換至MLC（Multi-Level Cell）製程後，由於MLC製程品質不佳，控制晶片更需負擔起輔佐及彌補NAND型Flash晶片功能的角色...
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