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[最便宜的DDR500]KingMAX DDR500 512MB*2(Hynix D5) 極限測試分享
同樣採用Hynix D5顆粒/TSOP封裝,但是KingMAX DDR500卻便宜很多,所以順手包了兩盒回家試玩看看,試玩結果表現的相當不錯,可說是C/P值相當高的模組。
不過礙於目前手邊只有875P的平台,以下測試僅限於P4平台的表現實況,K8平台則請各位大大自行驗證測試 測試平台 P4EE 3.0ES @ 3.5G A P4C800-E Deluxe KingMAX DDR500 512MB*2 / ADATA DDR500 512MB*2 ELSA 940GT(GF 6800GT) Seagate 160G SATA*2 Raid 0 Win XP SP2(MCE) 測試基準 (1) BIOS PAT部分一律設定 Performance Mode →Turbo Performance Acceleration Mode →Enable (2) 必須能通過Memtest86+ 至少一個小時的運作,無錯誤發生 (2) 必須能通過Prime95至少一個小時以上的萃煉 (4) Prime95一律統一執行Torture Test→Blend(tests some of everything,lots of RAM tested)這個模式 先看看EVEREST 和CPU-Z所顯示出的SPD值和相關資訊,官方SPD值定的蠻保守的,時脈DDR500時只有CL3-5-5-10,不過875P最慢的參數只有CL3-4-4-8,就算BIOS設為SPD也只有CL3-4-4-8 接著是實際運作測試,DDR500時,參數最快可設為CL2.5-4-3-5(其中RAS# to CAS# Delay為4),Memtest86+跑了11圈,費時3個多小時,無任何錯誤 Prime95 Blend Mode測試 →外頻 250x14 3.5GHz (1:1) DDR500 CL2.5-4-3-5 Prime95 Blend模式,拷打了5個多小時,順利通過測試 最高穩定運作的極限是DDR550,比起之前測過ADATA DDR500稍微差了一點,參數是CL3-4-4-8,Memtest86+跑了4圈,一個多小時,無錯誤 Prime95 Blend Mode測試 →外頻 275x13 3.57GHz (1:1) DDR550 CL3.0-4-4-8 Prime95 Blend模式,拷打了1個多小時,順利通過測試 接著看看DDR400時的參數最快能設多少,測試結果是CL2-3-3-5,這結果和以前測過的ADATA DDR500 512MB*2完全一樣,Memtest86+跑了4圈,一個多小時,無錯誤 Prime95 Blend Mode測試 →外頻 250x14 3.5GHz (5:4) DDR400 CL3.0-4-4-8 Prime95 Blend模式,拷打了1個多小時,順利通過測試 大致上來說,就如同其他D5顆粒的DDR500模組一樣的特性,參數和運作極限表現都很相近 經過幾天的反覆測試,大約的參數和時脈的測試結果如下 【以下參數值依序為CAS# Latency - RAS#toCAS# Delay - RAS# Precharge - Cycle Time(Tras)】 1. DDR400~420 CL2-3-3-5 (RAS# to CAS# Delay這一項最快只能調3T,調2無法開機) 2. DDR421~450 CL2.5-3-3-5 (RAS# to CAS# Delay這一項還能維持在3T) 3. DDR451~510 CL2.5-4-3-5 (RAS# to CAS# Delay這一項要降到4T,不然無法開機) 4. DDR510以上 CL3.0-4-4-8 (時脈510以上必須用最慢的參數才能穩定運作) FSB:RAM 不同步下 300外頻 (5:4) DDR480 無法開機 (3:2) DDR400 可開機但無法穩定運作 5. 採用 FSB:RAM 不同步模式時,CL值會被強制以CL2.5運作 6. FSB:RAM 不同步模式時,可穩定運作之最高外頻為296 以上的特性和之前測過的A-DATA DDR500 512MB*2的結果可說是幾乎完全一樣→ 新版A-DATA DDR500 512MB*2 記憶體參數優化綜合測試 ※插滿四條DDR500 512MB*4 運作極限※ KingMAX DDR500 512MB*5 + A-DATA DDR500 512MB*2共四條插滿(同樣都是D5顆粒),結果無法穩定跑DDR500(當然能過Super Pi 1M和Sandra的頻寬測試,但是那毫無意義,因為一跑Memtest86+ 錯誤一堆),最高只能DDR473左右穩定運行 (由於極限只有大約DDR473,採用同步的話外頻只有237,為了提高效能,採用除頻的方式,外頻拉高到296,FSB:RAM 5:4,記憶體跑DDR473) DDR473,參數設為CL2.5-4-4-8(其中RAS# to CAS# Delay為4),Memtest86+跑了2圈,費時一個多小時,無任何錯誤 Prime95 Blend Mode測試 →外頻 296x12 3.55GHz (5:4) DDR473 CL2.5-4-4-8 Prime95 Blend模式,拷打了1個多小時,順利通過測試 以上是875P平台的測試結果,僅供參考,至於目前最HOT的K8 939平台表現如何?就有勞其他大大來分享了。 此文章於 2005-01-28 09:31 PM 被 Barracuda 編輯. |
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2005-01-28, 09:20 PM
#1
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Junior Member
加入日期: Jun 2002 您的住址: 台南市
文章: 734
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很詳盡的測試,不過沒有看見電壓設定
是大大忘了寫了嗎? kingmax雖然品質不錯 可是切入市場的時間點實在太晚了 |
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2005-01-28, 09:49 PM
#2
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Master Member
加入日期: Dec 2001 您的住址: 台中大里、台南市
文章: 1,668
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引用:
忘了寫電壓 電壓一律設定2.85v D5顆粒跑DDR500或更高,電壓不夠無法穩定運作 (因為有點懶,如果還要以不同電壓詳細的測試,真的太花時間了,有這款模組的大大可以自行測試看看2.6v能跑多高,弟平常跑用512MB*4來跑,為求穩定起見,一律固定2.85v) 此文章於 2005-01-28 10:02 PM 被 Barracuda 編輯. |
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2005-01-28, 09:58 PM
#3
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Master Member
加入日期: Mar 2002 您的住址: 新竹-高雄
文章: 2,203
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好詳細的測試,一定是花了不少時間
謝謝分享 |
2005-01-28, 10:08 PM
#4
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Master Member
加入日期: Dec 2001 您的住址: 台中大里、台南市
文章: 1,668
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DDR500下,2.85v並不完全算是加壓喔
更何p是D5顆粒,要跑高時脈,又要512MB*2或512MB*4插滿 沒給它電壓,是上不去滴 另外威剛的DDR500官方訂的電壓就是2.8v+0.1v Hynix D5的特性是你給它電壓 它就回報妳時脈 只要不是改主機板把電壓加超過2.9v以上 基本上DDR電壓 2.5v~2.9v都算是標準電壓 是不會有什麼問題的 Hynix 官方網站上的*.pdf資料顯示,D5顆粒的電壓就是2.8v http://www.hynix.com/datasheet/Shor...04_DRAM_SFC.pdf 不過上述情況並不適合三星TCCD顆粒的模組,因為TCCD並不需要加壓,2.5v或2.6v就可以超的很高,超到極限,給多了電壓沒用,而且反而超不高,容易掛掉 此文章於 2005-01-29 05:31 AM 被 Barracuda 編輯. |
2005-01-29, 04:46 AM
#6
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Power Member
加入日期: Dec 2002 您的住址: 雲巔
文章: 523
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專業的測試...
弟來推一把... |
2005-02-03, 05:59 AM
#7
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Junior Member
加入日期: Mar 2002 您的住址: 台南
文章: 802
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很實用的測試~~~只是啥時才能有能在Pentium4 2.4CG下
能超到DDR600雙通道的512MB模組阿........ |
2005-02-03, 06:32 AM
#8
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Power Member
加入日期: Aug 2002 您的住址: PCDVD 02梯
文章: 578
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魚兄測試的好文章∼∼
Dual Channel+PAT還能夠有DDR500 2.5-4-3-5以及DDR550,3-4-4-8∼ 這樣的成績,Kingmax這次表現不錯∼加上價格便宜,或許是衝高外頻的廉價好選擇喔∼
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^^A 請多指教~ |
2005-02-03, 10:30 AM
#9
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Master Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
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引用:
受用了..感激^^ |
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2005-02-04, 02:33 PM
#10
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