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New Member
加入日期: Feb 2004 您的住址: HK
文章: 6
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内存設定的問題.........?
小弟的配置(看簽名), SAMSUNG的RAM好象不怎麽好超.....
内存設為: 2.5-4-3-5 想超300外频, 請問各位大大,還有哪些好的設法......???
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P42.4GC @3.3G ASUS P4P800 SAMSUNG DDR400 512*2 HITICHI 80G *2 (RAID0) GF4 MX440 64MB(128Bit) PHILIPS 107P4 |
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2004-02-17, 02:20 PM
#1
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*停權中*
加入日期: Oct 2003 您的住址: 台灣
文章: 331
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設5:4還是3:2這樣跑不同步看看
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2004-02-17, 02:31 PM
#2
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New Member
加入日期: Feb 2004 您的住址: HK
文章: 6
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引用:
我现在設的是3:2, 設5:4開不了機............
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P42.4GC @3.3G ASUS P4P800 SAMSUNG DDR400 512*2 HITICHI 80G *2 (RAID0) GF4 MX440 64MB(128Bit) PHILIPS 107P4 |
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2004-02-17, 02:38 PM
#3
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Elite Member
  
加入日期: Mar 2001 您的住址: 桃園縣龜山鄉
文章: 12,765
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Samsung的顆粒標準規格是CL3.0,跑CL3.0-3-3-8,或是CL3.0-4-4-8看看
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請不要再用打的方式教育小狗,有愛心的人請買以下的書來讀好嗎??謝謝您 別只給我一根骨頭 狗狗的異想世界 貓狗大戰：寵物行為四週集訓 愛咪咪的異想世界 終於還完12x萬的負債,以後不敗家了 阿斗的歷史名言:此間樂,不思蜀 
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2004-02-17, 05:37 PM
#4
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New Member
加入日期: Feb 2004 您的住址: HK
文章: 6
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還是不行........!~
引用:
我在外频275, DRAM Frequency 設偽 (AUTO)時: 上面的: CL3.0-3-3-8 and CL3.0-4-4-8 這两個設定都不能開機.........~~~ 现在我的機子在 以下設定是最稳的: 外频275 (@3.3G) DRAM Frequency ===> (AUTO) DRAM CAS#Latency ===> (2.5) DRAM RAS#Precharge ===>(4) DRAM RAS#toCAS#Delay ===>(3) Precharge Delay ========>(5) Burst Length ===>(4) 請教各位大大,SAMSUNG的RAM在CL3.0是,要怎样設才能設成3:2....????~
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P42.4GC @3.3G ASUS P4P800 SAMSUNG DDR400 512*2 HITICHI 80G *2 (RAID0) GF4 MX440 64MB(128Bit) PHILIPS 107P4 |
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2004-02-17, 06:47 PM
#5
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Power Member
 
加入日期: May 2003 您的住址: Taipei
文章: 651
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275外頻最穩...那就用它吧...不然換RAM囉!
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2004-02-17, 07:23 PM
#6
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Junior Member
加入日期: Aug 2003 您的住址: 汽車旅館
文章: 701
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DDR400的三星顆粒不會很難超！
以小弟的使用經驗， 在2.5V時，300MHz除頻(3:2)跑DDR400，設CL2.5-3-3-8，可以穩跑PRIME95及MEMTEST+！ 若250MHz跑同步時，相同的電壓仍可以穩跑DDR500！ |
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2004-02-17, 09:25 PM
#7
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