可以吧！在下的很多小容量HD活到現在超過十年的最少還有
五顆而且都正常運作中，光碟燒錄機Benq DW800A從大學
用到現在只換過裡面的傳動橡皮圈還是正常可以燒錄DVD，
兩顆mitsubishi rdt261 LCD依舊服役中，Intel X25 SSD
120GB這個應該也是很接近10年了....
很多東西買對產品或者沒有淘汰需求真的可以用很久啊！XD

東西好便宜喔徵代購者G41+Xeon L5420 2.50G L2 12M
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當初很多人不看好的山寨機用了五年半了現在還活得好好的, 每天24小時拿來當下載看片的D槽機......

謝謝大家解說，對TBW這數值有所了解，原來和保固期的關連性這麼大。

BX300 480GB 快取 512MB 主記億體八顆 控制晶片一顆

2800 多 MLC 實在也沒什麼好挑了 , 可惜618 都搶不到

奇摩618連看都看不到就沒了.
太誇張.
整人遊戲.

不是一直都在嗎?

尼那個是通通都有奬 , 618 是一次扣618 , 差粉大

樓上那位朋友指的是折扣618元的折價券，不是折扣120元的折價券

我也是在友站獲得此訊息，卻始終拿不到

懷疑此資訊是真是假

P購又始終不肯上架到商店街(可以再折300加信用卡回饋購物金再折100)

QLC登場:性能低還不耐用?但取代HDD必定是它

2018/06/05 來源：太平洋電腦網

基於NAND快閃記憶體的SSD硬碟如今越來越被人接受

，成為裝機必選配件之一，HDD機械盤越來越不受寵，

如果不是過去兩年存儲晶片經歷了一次長達兩年的漲價

，2018年市場上應該可以普及480-512GB的SSD了，

人們對SSD容量的需求也越來越大，繼TLC統治SSD市

場之後，QLC快閃記憶體也閃亮登場了。


圖一
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116844&stc=1


去年7月份東芝公司就率先宣布了QLC快閃記憶體，核心容

量768Gb，創造了NAND容量新紀錄，今年5月底美光、英

特爾也宣布了自家的QLC快閃記憶體，並且推出了新的

5210 ION系列硬碟，正式商業化QLC快閃記憶體技術，可

它的到來卻讓很多人充滿懷疑，不少讀者都在質疑QLC快閃

記憶體的性能及可靠性，甚至認為這是一種倒退，那麼實情

到底如何呢？

在了解QLC快閃記憶體之前，我們首先簡單介紹下NAND快

閃記憶體中不同類型到底都有哪些區別及優缺點吧。

NAND快閃記憶體基本原理：QLC容量大，但性能也變差了

NAND快閃記憶體是靠存儲單元能多少位信息然後施加不同

電壓才實現信息存儲的，很多人都知道NAND快閃記憶體有

SLC、MLC及TLC之分，現在又多了QLC快閃記憶體，那麼

它們之間到底有多少區別呢？


圖二
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116845&stc=1


SLC：全稱Single-Level Cell，每個Cell單元存儲1bit

信息，也就是只有0、1兩種電壓變化，結構簡單，電壓

控制也快速，反映出來的特點就是壽命長，性能強，P/E

壽命在1萬到10萬次之間，但缺點就是容量低，成本高，

畢竟一個Cell單元只能存儲1bit信息。

MLC：全稱是Multi-Level Cell，它實際上是跟SLC對應

的，SLC之外的NAND快閃記憶體都是MLC類型，而我們

常說的MLC是指2bit MLC，每個cell單元存儲2bit信息，

電壓有000,01,10,11四種變化，所以它比SLC需要更複

雜的的電壓控制，加壓過程用時也變長，意味著寫入性能

降低了，同時可靠性也下降了，P/E壽命根據不同製程在

3000-5000次不等，有的還更低。

TLC：也就是Trinary-Level Cell了，準確來說是3bit MLC

，每個cell單元存儲3bit信息，電壓從000到111有8種變化

，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架構更複雜，

P/E編程時間長，寫入速度慢，P/E壽命也降至1000-3000次

，部分情況會更低。



現在上市的QLC則是Quad-Level Cell，或者叫4bit MLC，

電壓從0000到1111有16種變化，容量增加了33%，但是

寫入性能、P/E壽命會再次減少。

怎麼理解這些技術變化？我們可以舉個簡單的例子，把NAND

快閃記憶體當成大學的宿舍，SLC快閃記憶體相當於博士宿舍

，往往是單人間，所以成本高，但是博士能做的工作也更好，

而MLC快閃記憶體就是碩士宿舍，兩個人一間，成本是降低

了不少，不過碩士做研究自然是不如博士的。

TLC則是3人間的大學宿舍，QLC則是4人間的宿舍，可能還

是非熱門專業的學渣聚集在一起，戰鬥力比起前面的三種要

差很多，不過好歹也是大學生。


圖三
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116846&stc=1



QLC快閃記憶體與TLC快閃記憶體性能對比，寫入性能進一步下降


具體到性能上，美光做過詳細解讀，首先讀取速度沒比TLC

快閃記憶體差多少，SATA接口中兩者都可以達到540MB/s

速度，QLC快閃記憶體主要差在寫入速度上，因為它天生的

P/E編程時間就比MLC、TLC更長，速度更慢，連續寫入速度

從520MB/s降至360MB/s，隨機性能更是從9500 IOPS降至

5000 IOPS，損失將近一半，同時MTTF無故障間隔時間也從

300萬小時降至200萬小時，性能、可靠性下降是沒跑了。

3D堆棧技術加持，QLC快閃記憶體遇到了好時候

正如TLC快閃記憶體剛問世時遭遇的考驗一樣，性能、可靠性

下降是QLC快閃記憶體必然的缺點，我們應該對QLC快閃記憶

體感到擔憂嗎，或者說排斥QLC快閃記憶體？直覺上應該是這

樣，但是我們也要了解一點——如今的NAND快閃記憶體早進

入3D NAND時代了，跟2D NAND時代不一樣了，而3D NAND

時代的QLC快閃記憶體也不同於2D NAND時代的QLC快閃記憶

體，這是雙方技術路線決定的。


在2D NAND快閃記憶體時代，廠商為了追求NAND容量提升，

需要不斷提升NAND製程工藝，所以NAND前幾年從50nm不

斷進入30nm、20nm以及10nm時代，這好比處理器工藝不斷

升級一樣，好處是提高了電晶體密度，提升了NAND容量，降

低了成本，但是NAND工藝提升意味著也使得用於阻擋電子的

二氧化矽層越來越薄，導致可靠性變差，而MLC、TLC、QLC

快閃記憶體穿越二氧化矽層的頻率逐級升高，也會導致氧化層

變薄，這就是P/E壽命不斷降低的原因。

但在3D NAND時代，提升NAND容量靠的不是微縮製程工藝了

，而是靠堆棧的層數，所以工藝變得不重要了，NAND廠商甚

至可以使用之前的工藝，比如三星最初的3D NAND快閃記憶

體使用的還是40nm工藝，可靠性要比20nm、10nm級工藝高

得多。


圖四
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116847&stc=1



也正因為此，QLC快閃記憶體獲得了TLC不一樣的

待遇，TLC快閃記憶體剛問世時還是2D NAND快閃

記憶體時代，所以遭遇了諸多壽命、性能上的考驗，

最初發布的TLC快閃記憶體P/E壽命只有100-150次

，完全不能看，但美光、英特爾推出的QLC快閃記憶

體直接使用3D NAND技術，P/E壽命達到了1000次

，完全不輸現在的3D TLC快閃記憶體。

大家可能沒注意到，這次首發的5210 ION硬碟是給企

業級市場使用的，而非消費級市場，前者對可靠性的要

求比消費級市場更高，英特爾、美光這麼做說明對QLC

快閃記憶體的壽命、可靠性有信心。

此外，P/E壽命也不是不變的，隨著NAND技術的進步、

糾錯技術的改良，P/E壽命是會提升的，TLC快閃記憶

體就從之前的不足500次逐漸提升到了1000次或者更高

水平，可靠性已經經過驗證了，QLC同樣也會如此。

存儲需求已經變了，超大容量SSD時代即將到來

圖五
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116848&stc=1



QLC快閃記憶體的問世有NAND廠商不斷降低成本的需要

，但這個問題從根本上來說是現在市場的需求正在改變，

我們通常認為的存儲需求是內存、SSD及HDD而已，性能

逐級降低，容量逐級升高，但是現在內存與SSD之間又多

了一個SCM（系統級存儲），英特爾前幾天發布的

NVDIMM內存就是這種，它的性能比DDR4低，但高於SSD

硬碟，同時斷電也不損失數據。

SSD與HDD之間也會多出一個層級，那就是超大容量SSD

，TB級都是起步水平，未來容量達到10TB也是小菜一碟

，不過這個超大容量SSD的性能是比不過現有MLC、TLC

快閃記憶體硬碟的，它的目標是HDD硬碟。

沒錯，QLC快閃記憶體一旦大規模量產，用它做的SSD硬

碟寫入速度可能也就是200-300MB/s左右，但是5000+

的隨機寫入性能依然遠高於HDD硬碟，同時容量可達

10-100TB級別。


圖六
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116849&stc=1



東芝此前在發布QLC快閃記憶體時就給我們描

繪了這樣一個未來，100TB容量的QLC快閃記

憶體SSD性能跟12台8TB HDD硬碟組成的陣列

差不多，都是3000MB/s，但是50K IOPS隨機

性能遠勝於HDD陣列，同時0.1W的待機功耗也

遠低於HDD陣列的96W，這也是英特爾、美光首

先在企業級市場發布QLC快閃記憶體的原因，在

這部分需求上QLC硬碟硬碟是完勝HDD硬碟。

美光之前預測2021年時SSD平均容量可達597GB

，聽上去並不高，但是他們還預測到時候每個PC

用戶平均會用4個SSD硬碟，這不是說我們買4個

容量600GB的SSD，更可能是這樣一種組合——

480/512GB的MLC或者QLC硬碟做主盤，安裝系

統及常用軟體，同時會有2TB甚至4TB的QLC快閃

記憶體SSD硬碟做倉庫盤，保存電影或者遊戲，這

種場合下讀取速度居多，寫入速度非常少，可以完

美發揮QLC硬碟的優點而避開寫入性能不強的缺點。

總結：

圖七
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QLC快閃記憶體的時代已經來了，除了美光、

英特爾首發QLC硬碟之外，東芝、西數的QLC

快閃記憶體也開始少量出貨了，三星、SK

Hynix的QLC快閃記憶體也在路上，只是沒有

高調公開而已。

大家對QLC快閃記憶體的擔心很正常，畢竟原理

上來說QLC快閃記憶體就要比MLC甚至TLC要差

一些，但是3D NAND時代的QLC快閃記憶體在

可靠性上跟2D NAND時代的TLC、QLC完全不

同，P/E壽命不是問題，不會比TLC快閃記憶體

差到哪裡去。


圖八
https://www.pcdvd.com.tw/attachment...id=116851&stc=1


QLC快閃記憶體最大的誘惑就是未來容量更大，桌

面市場上普及10TB容量就要靠它了，企業級市場甚

至會做到100TB容量，完全不輸HDD硬碟，同時

QLC硬碟的連續性能、隨機性能更完勝HDD硬碟，

功耗、噪音等方面同樣沒有可比性，是真正可能取

代HDD硬碟的選擇。