電壓調高一點,像EPOX很喜歡偷偷加壓
重點他還會看你的時脈來偷加...比方說200*9他就是1.42V 250*9他就是1.46V....類推
你試著把電壓升到1.45V 記憶體參數只要動上面那一部分
CPC改成DISABLE,參數調整成8 4 4 3
記憶體電壓改成2.7V 記憶體插2 4 DIMM
HT調成3 ,記憶體先除頻到133
如果沒問題,再把你的記憶體頻率調整成你原來的樣子
加油!

試試把TRC設11(或更高),TRFC設AUTO

因為那些印上模組廠自家名稱的顆粒應該大都是台製的

DFI預設的7-AUTO對某些RAM來說太緊

那兩組STRENGTH設AUTO就行了,因為開板網友沒有跑高外頻同步

剛剛又測試過了................
記憶體+到3.0V CPU+到1.55V 記憶體調 4-7-11-4 DDS 8 DS 3 降到140/200 HT3
就算弄到這樣........................友通 UT Ultra-D 250X9還是沒辦法...............

技嘉那張版子到底是用了多神奇的方法阿 = =?

記憶體電壓太高了，如果是uccc 的顆粒通常2.6v效能最佳，加壓反而有害，d43的顆粒也一樣。

真的每組記憶體或CPU都不一樣,
以前賣小弟LA的網友說2.7V DDR650,平台是DFI nF4-D
結果小弟用自己的SLi-D照著用,怎麼都沒辦法達成?
後來無意之間調降電壓再試反而就可以了.......!?

先前試超ML30時也是,先入為主以為加壓上不去就無解了
但反而降點壓就進得了OS?!
最後才得知是單通道的限制讓記憶體很難跟得上,
總之超頻要試的東西很多,光是記憶體參數一項,當時就試了快一個禮拜,
但試的期間會覺得越來越有成就感,蠻好玩的
試過穩定了,正常使用也沒問題了,才會有被自己電腦的速度給同化,
好像原本就是這樣,
現在大概真的是差在單核心與多核心,
等價錢合理一點,再試試看雙核的差別吧!

樓主可以參考 這一篇 .

我在 DFI NF3 250GB 板用 2 X 512MB 双面 TCCD 調的參數,也許有些參考價值:
外頻278MHZ, DRAM 250MHZ, CPU Sempron 64 (9 X 278 = 2502 Mhz)

Dram Frequency Set: 180(Mhz)(9/10),
Command Per Clock: Enable,
CAS Latency Control(tCL): 2.5,
RAS# to CAS# Delay(tRCD): 3,
Min RAS# Active Timing(tRAS): 7,
Row Precharge Timing(tRP): 3,
Row Cycle Time(tRC): 7,
Row Refresh Cycle Time(tRFC): 14,
Row to Row Delay(tRRD): 2,
Write Recovery Time(tWR): 2,
Write to Read Delay(tWTR): 2,
Read to Write Delay(tRTW): 2,
Refresh Period(tREF): 4708,
Write CAS# Latency(tWCL): 1,
DRAM Bank Interleave: Enable,
DQS Skew Control : Increase Skew,
DQS Skew Value: 255,
DRAM Drive Strength: Level 1,
Max Async Latency: 7 NS,
Read Preamble Time: 6 NS,
Idle Cycle Limit: 256 Cycles,
Dynamic Counter: Enable,
R/W Queue Bypass: 02X,
Bypass Max: 07X,
32 Byte Granulation: Disable(8 Bursts)

以上參數, TCCD 和 BH5 皆可用,BH5 我設 DRAM Drive Strength: Level 2.
要注意不同制程的 CPU, 可能需設不同參數,如:
ClawHammer 的 2800+, Dynamic Counter 要設 Disable, 32 Byte Granulation 要設 Enable.

DFI LanParty 板不容易搞,要有些耐心.
我設的參數,是在爬文後,再用 MemoryTest 測試每項設成不同參數的穩定性後得到的最滿意參數.
而體質較差的 TCCD 或 BH5 , Read to Write Delay(tRTW) 就要設成 3.

用DFI的MB,記億體參數不能用AUTO,必須手動才能超上去的.