PCDVD數位科技討論區
PCDVD數位科技討論區   註冊 常見問題 標記討論區為已讀

回到   PCDVD數位科技討論區 > 電腦硬體討論群組 > 系統組件
帳戶
密碼
 

  回應
 
主題工具
run1127
Regular Member
 
run1127的大頭照
 

加入日期: Aug 2002
文章: 77
有用過不能跑最佳化
跑2.5-3-3-6
還滿穩的
去查一下主機板官網有沒有測試過
還有別混插..很容易衝到的
     
      
舊 2005-04-08, 12:54 AM #31
回應時引用此文章
run1127離線中  
stratos2005
Power Member
 

加入日期: Mar 2005
文章: 648
引用:
作者seisyuku
D43的特性相當有趣
我以前買Infineon都是SPD標3-4-4-8,實際上根據我看原廠資料,建議值是2.5(3)-3-3-6(8)最穩。
可是新買的Kingston D43可不是這樣,SPD是3-3-3-8,調成2.5-3-3-6或3-4-4-8不是
當機,就是沒有原來快。我看國外討論的大部分見解是,因為D43是屬於那種加壓沒什麼用,時序不適合變更,時脈可以超到極高的典型。

INTEL系統效能只對時脈很敏感,所以時序不用刻意去改,除非你跟我之前一樣,發現CL2.5比3更穩定,否則只要隨便上個DDR466以上就夠你爽了。相反的,K8因為記憶體控制器設計的關係,對時序的要求就很嚴苛,這個除了自己一個個試搭配之外別無他法。

如果要很好的時序,則非得買BH5、TCCD才能如願。否則,像我這種玩票,按SPD設定時序,但是時脈盡量高是兼顧方便跟超頻的作法。

SDRAM的VDD盡可能不要改超過原廠值+-10%比較好,很多網站都測過,像D43、TCCC這類DDR400+等級顆...


我這邊的K8很怪,主機板是Asus A8N SLI
用Hynix -D43,fsb220/ram440 OK
但是改成fsb230/ram230就不行了
我已經先把ram的速度設定到最慢DDR200
結果D43在這張版子,會讓fsb跑不到220以上
例如說fsb是230,bios的記憶體速度調成DDR200
(事實上因為fsb的增加,記憶體變成也試跑DDR230)
結果就掛了,問題是這支ram不可能連ddr230都跑不到啊
我把fsb降成210,ram調成ddr420,就都明明可以跑
D43拔掉,換成TCCD或D5,都可以正常上300fsb
換成psc,上不了300,但是剛剛跑275也都一切正常
所以我拿-D43真的是一點辦法都沒有
 
舊 2005-04-08, 12:57 AM #32
回應時引用此文章
stratos2005離線中  
seisyuku
Junior Member
 
seisyuku的大頭照
 

加入日期: Mar 2002
文章: 714
引用:
作者stratos2005
我這邊的K8很怪,主機板是Asus A8N SLI
例如說fsb是230,bios的記憶體速度調成DDR200
(事實上因為fsb的增加,記憶體變成也試跑DDR230)
結果就掛了,問題是這支ram不可能連ddr230都跑不到啊
我把fsb降成210,ram調成ddr420,就都明明可以跑
D43拔掉,換成TCCD或D5,都可以正常上300fsb
換成psc,上不了300,但是剛剛跑275也都一切正常
所以我拿-D43真的是一點辦法都沒有


聽起來很奇怪,該不會是K8或NVIDIA的記憶體控制設計問題?或是時序上有問題

例如CL=2.5 的話,放 Column Address 後 2.5T, 記憶體控制器就可以看到信號進來,這時就算delay 0.1T也還可以接受。但是混插很多根後,可能阻抗變大,delay 變成 0.5T以上,就算記憶體控制器等了 3T ,等不到信號還是開天窗...

要不然測看看TCCC的模組看看,TCCC據說沒有D43那麼耐超高時脈,但說CL2.5可以DDR450+的很多...
__________________
簽名檔是無辜的...
請不要餵它垃圾圖片無用配備訊息,好嗎。
舊 2005-04-08, 01:14 AM #33
回應時引用此文章
seisyuku離線中  
MITSUI-GD74-
*停權中*
 

加入日期: Mar 2005
文章: 957
我幫朋友裝機的時侯.. 有買到創見的力晶顆粒..
但覺得很穩吧.. 完全不超頻.. 跑了二個多月也沒事情...
舊 2005-04-08, 04:21 AM #34
回應時引用此文章
MITSUI-GD74-離線中  
ianme
*停權中*
 
ianme的大頭照
 

加入日期: Oct 2004
您的住址: 台北
文章: 3,188
力晶................相容性超"讚"的耶,保當機,同樣記憶體插起來,不知道為啥他就是比較火熱,不愧是賠11年賺1年的廠商,2004年轉虧為盈而且1年賺飽11年虧的......真是......
舊 2005-04-08, 04:57 AM #35
回應時引用此文章
ianme離線中  
gg327
Major Member
 

加入日期: Oct 2004
文章: 158
引用:
作者mgsuper
聽說力晶較好的顆粒好像都供應給「爾必達」了,不知是不是真的。



這是台灣代工廠的特性,好的都給別人了...
尤其光碟片廠更是明顯...
舊 2005-04-08, 09:22 AM #36
回應時引用此文章
gg327離線中  
useruser
Registered User
 

加入日期: Mar 2004
文章: 444
引用:
作者ianme
力晶................相容性超"讚"的耶,保當機,同樣記憶體插起來,不知道為啥他就是比較火熱,不愧是賠11年賺1年的廠商,2004年轉虧為盈而且1年賺飽11年虧的......真是......

哇!建一間RAM廠,比賭博還刺激?
舊 2005-04-08, 02:08 PM #37
回應時引用此文章
useruser離線中  
mgsuper
Major Member
 

加入日期: May 2003
文章: 244
引用:
作者gg327
這是台灣代工廠的特性,好的都給別人了...
尤其光碟片廠更是明顯...


不過創見「爾必達」顆粒的記憶體也一樣是標CL=3
只是不知有沒有比較好就是了~
舊 2005-04-08, 04:59 PM #38
回應時引用此文章
mgsuper離線中  
ks34
Master Member
 

加入日期: Dec 2000
文章: 1,737
力晶沒那麼差吧!重要的是看顆粒等級及pc板模組體質
很多採用力晶顆粒的記憶體為求獎低成本都採用較低價位的
pc板模組導致有超不上去的情形
我我使用的芝奇nddr400 大致可超上480
舊 2005-04-08, 06:45 PM #39
回應時引用此文章
ks34離線中  
nishida
Power Member
 

加入日期: Jun 2001
文章: 529
引用:
作者stratos2005
Infineon的0.14/0.11 cell是用長上去的啊
IBM跟華邦是用挖下去,結果到0.14很難挖,角度很難僑
所以南亞就跑走去找Infenion,順便一起蓋蓋新廠囉

也許每家廠每一代都有新技術,不是一定故定用深溝或堆疊電容
他轉進下一代製成,發現深溝做不下去,改成堆疊也有可能
Infineon以前是深溝電容陣營沒錯,不過到0.11後轉給南亞的技術
就是堆疊電容...這是我南亞的同學說的啦


這...TRENCH 現在技術第一的是Infineon
南科在0.11會找Infineon 就是他才是TRENCH的第一把交倚
IBM在0.14就做不出來 發表論文說DRAM 太難做 就收掉改作代工
華邦 中芯 都是靠Infineon技轉的
TRENCH 目前會一直做下去
當然Sansung Hynix(ProMOS) 爾必達(PSC) 也會一直作STACK
舊 2005-04-16, 05:18 PM #40
回應時引用此文章
nishida離線中  


    回應


POPIN
主題工具

發表文章規則
不可以發起新主題
不可以回應主題
不可以上傳附加檔案
不可以編輯您的文章

vB 代碼打開
[IMG]代碼打開
HTML代碼關閉



所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是04:15 PM.


vBulletin Version 3.0.1
powered_by_vbulletin 2026。