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*停權中*
加入日期: Apr 2009
文章: 29
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半導體立體堆疊是不錯
不過良率的問題很大 散熱的要求增高 低功耗低發熱時還好說 一旦時脈拉高功耗一上升 那就是麻煩的開始 難不成將來的cpu散熱要做成夾心餅乾那樣 將兩頭都包起來  那接腳要怎麼連出來  |
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2011-05-06, 03:12 PM
#21
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Senior Member
 
加入日期: Feb 2002 您的住址: 宜蘭
文章: 1,341
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引用:
我不是相關專業出身 所以有誤還請糾正 這邊的電晶體效能與耗電都是跟 32nm Bulk 製程比較 (這次P1270 製程還有導入 High-K 跟 Tri-gate) 討論電晶體特性都會討論 Delay (Performance, 頻率) / Leakage (Power Consumption) 與電壓之間的關係 通常而言 電壓越大 Delay 越低, Leakage 越大, 製程間的特性曲線也不太一樣  引自pc.watch 在相較於32nm Bulk 製程, 22nm Tri-gate 可以在相同頻率下以75% - 80%的作業電壓下作業, Active Power 有50%的降低.  引自anandtech 在固定電壓狀況下, 在低電壓(0.7)有37%的效能增進, 在高電壓(1V) 也有18%增進.. 這些特性幾乎有跨兩個Process node的表現...
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AMD Athlon 64 3000+ Asus A8N-E nfoce 4 empowered Simems DDR 400 512MB *2 Benq 1640 --------------------------------- |
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2011-05-06, 03:53 PM
#22
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Senior Member
加入日期: Feb 2002 您的住址: 宜蘭
文章: 1,341
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引用:
這個技術 只是Transistor 的 Gate Oxide 跟 Inversion 接觸面由 Planar (2D) 變成立體包覆面 體積形狀幾乎沒有甚麼改變...散熱也不是問題... Die 本來就已經有好幾層了...
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AMD Athlon 64 3000+ Asus A8N-E nfoce 4 empowered Simems DDR 400 512MB *2 Benq 1640 --------------------------------- |
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2011-05-06, 05:37 PM
#23
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Master Member
  
加入日期: Sep 2003
文章: 2,102
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引用:
是嗎? 請問聽誰說的? 如果好幾層DIE圖片早就好幾張了
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[ExtremeTech]VGAMaster |
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2011-05-06, 06:01 PM
#24
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Regular Member
 加入日期: Dec 2005
文章: 56
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多數人玩遊戲是不會手動超頻CPU的
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2011-05-06, 08:38 PM
#26
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Basic Member
加入日期: Apr 2011 您的住址: ヵみбэヤ城
文章: 11
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引用:
毫秒嗎? |
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2011-05-06, 08:57 PM
#27
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Senior Member
加入日期: Feb 2002 您的住址: 宜蘭
文章: 1,341
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引用:
應該是32nm 1v下的 delay 為 1單位的比例曲線
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AMD Athlon 64 3000+ Asus A8N-E nfoce 4 empowered Simems DDR 400 512MB *2 Benq 1640 --------------------------------- |
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2011-05-06, 10:39 PM
#28
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Junior Member
加入日期: Dec 2003 您的住址: 高雄市
文章: 742
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引用:
你說的這些在巴哈也有人發表 http://forum.gamer.com.tw/C.php?bsn...A=215695&tnum=9 意思大概是高階CPU也有10~15%的增進 受益最大的還是中低階以下的產品 很明顯是為了對抗ARM而來的
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酷媽 RC310(黑銀) CoolerMaster GX-400W(銅牌) INTEL Pentium G620(2.6G) 微星 H61M-P21(B3) 創見JET DDR3-1333 4GX2(8G) MSI R6850 Cyclone 1GD5(OC) WD 320G AAKS(單碟) 先鋒 DVR-217BK(黑) BENQ G2411HDA(D-SUB) 用了十幾年的AMD 終於第一次換INTEL的 線上遊戲果然還是單核強才是王道XD 此文章於 2011-05-08 02:48 PM 被 liccaba 編輯. |
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2011-05-08, 02:40 PM
#29
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Senior Member
加入日期: Feb 2002 您的住址: 宜蘭
文章: 1,341
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引用:
高階CPU 應該不會只有10~15%的增進, 整體 Power envelope (Active Power)降低後, 能塞的Core更多 或是 時脈可以拉更高... 為了對抗ARM? 這種技術已經談了有十年以上... 只是 Intel 實作較早量產.. TSMC 也會在16nm製程導入類似的 FINFET, 把製程技術 跟 ARM 對抗 搞在一起實在有點不妥...
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AMD Athlon 64 3000+ Asus A8N-E nfoce 4 empowered Simems DDR 400 512MB *2 Benq 1640 --------------------------------- |
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2011-05-08, 03:03 PM
#30
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人( ﾟ∀
