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New Member
加入日期: Jul 2008
文章: 1
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引用:
8相1H2L好,還是4相2H2L? |
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2008-08-07, 08:51 AM
#21
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*停權中*
加入日期: Jan 2008
文章: 1,281
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引用:
若你CPU的最大功耗不是非常高(例如不超過125W)，以實用性來說 4相2H2L 絕對夠用 但若要考慮 爽度、高負載時的轉換效率、核心電壓平穩度等，8相 也有其價值 而 8相1H 的設計應該是將 成本、MOSFET電流承載能力、元件佈線空間 等做一通盤考量後的結果。雖然2H並聯有降低內阻的優點，但或許對廠方來說，與前述考量相較之後就不重要了 |
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2008-08-07, 11:23 AM
#22
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Senior Member
 加入日期: Oct 2005
文章: 1,010
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可不可以請教狼大
H跟L分別是哪一顆mosfet(Q1&Q2) 另外請教當Q2打開的時候，是不是電流直接流到接地 那電不是就浪費掉了 謝謝 |
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2008-08-08, 09:15 AM
#23
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Elite Member
  
加入日期: Apr 2004 您的住址: 港都
文章: 6,019
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引用:
 Q1為High Side，Q2為Low Side，兩者不會也不能同時導通，否則會造成輸入電源短路。 Q1導通，Q2截止時，輸入電壓經電感到達輸出端，並對電感充磁(電→磁)；Q1截止，Q2導通時，電感儲能經Q2接地形成迴路，對負載釋放儲能(磁→電)。 |
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2008-08-09, 01:49 AM
#24
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New Member
加入日期: Jan 2002
文章: 9
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引用:
請問為什麼low side的電流會比較大呢? 我查到的資料中，電流是畫一個三角波，所以peak值兩個mos好像是一樣的 |
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2008-08-09, 08:29 AM
#25
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*停權中*
加入日期: Apr 2007
文章: 173
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引用:
大大可以求一下線路嗎? 純A類類的......  |
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2008-08-09, 11:43 AM
#26
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Senior Member
加入日期: Oct 2005
文章: 1,010
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引用:
謝謝狼大 小地想請教那是不是電容C單純是過濾電壓雜訊呢? 因為小弟一直以為電是存在電容和電感 另外就是小壞蛋大提到low side電流比較大 那Low side那邊是直接到接地去了 不就等於電浪費掉了嗎? 為什麼不存起來再用或是不要那一段節省電能呢? 謝謝 |
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2008-08-09, 01:33 PM
#27
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Elite Member
加入日期: Apr 2004 您的住址: 港都
文章: 6,019
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引用:
考量到同步式交換降壓電路(Vin高Iin低→Vout低Iout高)，兩者開關的任務週期並不相同，換句話說也就是導通時間的不同，影響到元件的承受電流以及功率問題，因Low side導通時間較High side為長，加上需要承受輸出電流(因其將構成輸出迴路)，相較之下High side只須承受輸入端電流，故一般設計Low side端會傾向選擇可承受較大功率的大電流產品。 引用:
電容不僅是作為濾波(與交換頻率及漣波電流有關)，也要在負載變動時，適時釋放/吸收多餘電能(與Slew rate及負載暫態電流需求有關)，所以電容角色也很重要。 以上述電路圖說明，Q1導通時，電感極性是左正右負，Q1截止時，因為磁→電，電感兩端的電壓極性將會反轉，變成左負右正，所以透過Q2的接地，可構成完整迴路，使電感有如一電流源般可以將電能供應至負載。 |
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2008-08-10, 01:51 AM
#28
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Senior Member
加入日期: Oct 2005
文章: 1,010
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經狼大解釋
小弟了解了 謝謝狼大 |
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2008-08-10, 05:22 PM
#29
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