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宗毛
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回覆: 回覆: [資訊分享] 關於AMD AthlonXP 1700+ BARTON核心

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Originally posted by jccjcc
P.S 以上是弟今天看到的心得分享,

為啥 256K 1700+ 有3700萬顆電晶體
512K 1700+ 有5500萬顆電晶體
兩鍋笑能都差不多??為啥???偶jccjcc素電子白痴..


呃,jcc你老人家不會不知道sram也是算在電晶體裡面的吧?
cache用的不就是sram?
     
      
舊 2003-06-04, 04:11 PM #21
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宗毛
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Originally posted by 宗毛
呃,jcc你老人家不會不知道sram也是算在電晶體裡面的吧?
cache用的不就是sram?

我不知道我這樣算會不會太離譜,畢竟我的電子學是當通識在修的
一個sram的記憶單元好像要用到6個transister(其他的等化預充電電路暫且不計)
barton多出256kbyte的cache
也就是256*2^10*8 (bit) *6(個transister)==1260萬左右
你給的資料是差1800萬,加上其他之前忽略的,看起來是蠻相近的
--
有錯請指正
 
舊 2003-06-04, 04:23 PM #22
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jccjcc
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Originally posted by 宗毛
呃,jcc你老人家不會不知道sram也是算在電晶體裡面的吧?
cache用的不就是sram?


毛毛蟲哥葛...小弟jccjcc偶素電子大外行....
原來 sram就素微小滴電晶體充放電0.1訊號來滴喔...
懂了...懂了...肛溫ㄚ...哈哈...
舊 2003-06-04, 04:33 PM #23
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cs52271
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您的住址: 聖母峰峰頂^^
文章: 3,488
在這理想請問一下...SRAM的中譯名詞是否為"靜態隨機存取記憶體"?而DRAM為
"動態隨機存取記憶體"呢?(之前在修計算機概論的時候有讀到...只是不太記得了...)
舊 2003-06-04, 05:35 PM #24
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宗毛
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Originally posted by jccjcc
毛毛蟲哥葛...小弟jccjcc偶素電子大外行....
原來 sram就素微小滴電晶體充放電0.1訊號來滴喔...
懂了...懂了...肛溫ㄚ...哈哈...

……您老不用跟我客氣了(把我叫老了 )
如果有興趣的話smith的微電子電路裡面都有講原理
(smith電子學是全國大部分電機科系在用的課本,很好找)
你只要先大致了解一下pmos/cmos的原理,再去看第13章(mos數位電路)的第10節
其實這邊算是電子學裡面比較簡單而有趣的部分
--
雖然說我的電子真的很爛
舊 2003-06-04, 05:54 PM #25
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Originally posted by cs52271
在這理想請問一下...SRAM的中譯名詞是否為"靜態隨機存取記憶體"?而DRAM為
"動態隨機存取記憶體"呢?(之前在修計算機概論的時候有讀到...只是不太記得了...)


對,s=static
static的意思是說他用的是static latch(閂鎖)的方法當作儲存單元
dynamic則不是,他是將資料存在電容裡,電容會對地放電而資料會流失
所以需要refresh(定時的再充電,拉到正確的位準)
dram會比sram便宜那麼多就是因為原理不太一樣(dram一個單元也只有用到一個transister)
計概或是計算機結構好像不會講到那麼細,電子學裡面才有討論
--
感謝兩位的發問,讓我又把好久沒唸的課本拿出來翻了一下
舊 2003-06-04, 06:03 PM #26
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