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Master Member
  加入日期: Sep 2003
文章: 1,810
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雖然幾乎是常識的東西 還是說一下吧
波長越短 折射率就相對越高 即便是半導體用的已經是非常好的透鏡 但還是有像差 因為短波長折射率高 像差被放大，可以說EUV 大概就只有中央部位是正確的曝光 假設原本是3x3 一次曝光可以照出九個chip 換成EUV的話就變成一次曝光一個chip 要重複照九次產能才能跟上 EUV 小量生產或許可以，大量的話 問題可大了 大概三星想把EUV 當作e-beam來用吧 晶片一個個刻 只求有不求產量 此文章於 2016-06-04 12:06 PM 被 orakim 編輯. |
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2016-06-04, 11:56 AM
#251
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New Member
加入日期: Aug 2012
文章: 2
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引用:
EUV用的是反射鏡不是透鏡 而且現在都是scanner，不是一次曝多個die |
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2016-06-04, 12:20 PM
#252
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Advance Member
加入日期: Sep 2015
文章: 461
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2016-06-04, 12:55 PM
#253
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Power Member
 
加入日期: Apr 2014 您的住址: Hsin-Chu / Miao-Li
文章: 512
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忠謀說7奈米是重要戰爭 主角會是這二家
引用:
除了技術外, 也要看誰的子彈多, 畢竟EUV真的是很燒錢呀.. 
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指揮所：陣地準備好報告! 
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2016-06-08, 01:41 PM
#254
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Elite Member
加入日期: Jan 2002
文章: 4,022
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引用:
就讓三不爽先切入EUV吧 !! 雖說不入虎穴焉得虎子 , 但入了虎穴也有極大可能連虎子的面都沒見到就被KO ,進了虎媽的肚子裡....  就讓基礎不穩的三不爽先進入EUV(前無古人,後還不一定有來者) , 看看它示範的烈士應該怎麼當法....
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2016-06-08, 09:33 PM
#255
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Senior Member
加入日期: Sep 2001
文章: 1,236
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2016-07-23, 04:46 PM
#256
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Power Member
加入日期: Apr 2014 您的住址: Hsin-Chu / Miao-Li
文章: 512
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製程技術本來就有很明確的定義→製程的電晶體最小線寬尺寸
為了搶單所以隨便亂喊，吃虧的最後還是自己…
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指揮所：陣地準備好報告!
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2016-07-23, 04:55 PM
#257
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*停權中*
加入日期: May 2015
文章: 1,017
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2016-07-23, 05:02 PM
#258
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Junior Member
加入日期: Apr 2014
文章: 716
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較先進的製程產出的相近功能或架構的晶片,應該會較省電,但耐用度和性能不見得較好.也許要看成熟度.老張也懂精神勝利法.
情感上支持台G.
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宜靜默 宜從容 宜謹嚴 宜儉約 居安慮危 處治思亂 |
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2016-07-23, 09:57 PM
#259
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Advance Member
加入日期: Jan 2003
文章: 357
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i 社的 10nm 確定要延至 2019 年以後, 而且, 桌機更慢.
2018 年 7nm ARM 架構的 CPU; 手機用 SoC; GPU; 移動型芯片 包含 (notebook), 會用上 tsmc 的新工藝. 而 i 社到時是用 14nm 工藝. 各位儘可能去比較工藝規格標準差異. 到時, 我的 手機, netbook, 顯卡, 平板, 都將購買 7nm 工藝生產的. 說不定也會買套 ARM 架構的桌機玩玩. i 社! 要緩步請便. |
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2016-07-24, 12:25 AM
#260
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