![]() |
||
Power Member
![]() ![]() 加入日期: Mar 2001
文章: 554
|
mobile 1M L2 不是只有turion了嗎
不過只有y拍有吧 |
|||||||
![]() |
![]() |
Power Member
![]() ![]() 加入日期: Sep 2002 您的住址: 台北城
文章: 548
|
turion是低電壓版的
DTR還是有貨可以找~~~耗電量較高 約60w
__________________
***** 電子業感覺越來越難混了~~~~~ ***** |
||
![]() |
![]() |
Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Sep 2004
文章: 998
|
引用:
看來您似乎有個先入為主的觀念,認為Mobile版本一定比Desktop版本虛弱 事實上並非如此,還得看CPU規格跟測試報告才能決定高下 就BenchMark來看,128k的Desktop Sempron 3000+遠遜於512k Mobile Athlon64 3000+ 何來同效能之說 ?
__________________
![]() 此文章於 2006-02-10 03:40 AM 被 james24 編輯. |
|
![]() |
![]() |
Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Oct 2003 您的住址: 下山了~~~~
文章: 5,286
|
看的好像有點懂,又好像有點不懂~~~~
![]()
__________________
還是習慣一個人吃冷掉的便當 一種冷到心裡的滋味 光明呢....?到底何時才上的了岸.... 原來最後只剩我自己...... 人生好累哦...... |
![]() |
![]() |
Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Sep 2004
文章: 998
|
引用:
應該怪AMD產品線切太細的關係 光是筆電板就有分Turion64、Mobile Athlon64、Mobile Sempron跟DTR 有些只是大了快取變了製程,或者多了省電少了指令集 就變成另一種產品了... 消費者一時難以分辨也是正常的
__________________
![]() 此文章於 2006-02-10 12:33 PM 被 james24 編輯. |
|
![]() |
![]() |
Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Oct 2003 您的住址: 下山了~~~~
文章: 5,286
|
![]() 引用:
請教 那個c/p值較高? 最近想把p4-3.0eg賣掉~~~ ![]()
__________________
還是習慣一個人吃冷掉的便當 一種冷到心裡的滋味 光明呢....?到底何時才上的了岸.... 原來最後只剩我自己...... 人生好累哦...... |
|
![]() |
![]() |
Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Mar 2001 您的住址: 新竹市
文章: 2,304
|
![]() 引用:
哇 ![]() ![]() ![]() ![]() 要比就必須盡量先站在平等的基礎下才公平,例如socket-754 Sempron跟socket-754 Athlon64就不是同等級的, 故小弟所理解的是:以同等級的socket-754 Athlon64 3000+而言,兩者的overall performance差不多, 但mobile比desktop貴,是因為他靠比較複雜的電路或者用不一樣的製程(即使同樣90nm)來達到比desktop省電、低溫的成果, 所以mobile K8的die size理論上會比較大粒(?)反映出來的就是比較貴 ![]() 不知小弟所理解的是否正確 ![]() |
|
![]() |
![]() |
Golden Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Aug 2004 您的住址: 「 」
文章: 2,517
|
引用:
錯了...原因在於同一片晶圓上每一個切割體質都不同,大部分的會落於一般體質,但也會有 少數體質特好或特壞的,低電壓低功耗的全是這些特別挑出來體質特好的,任何一片晶圓皆是如此,統計學上的常態分配可以解釋這現象。 |
|
![]() |
![]() |
Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Mar 2001 您的住址: 新竹市
文章: 2,304
|
![]() 引用:
嗯∼∼∼理論上閣下講的應該沒錯,不過小弟在想是不是mobile的跟desktop的CPU使用不同process, 一般foundry會提供不同用途的process給客戶用,即使同樣是90nm,應該也有分high speed或low power的, high speed process的MOS Vt比較低,所以速度快,但會有較大的leakage current,故比較耗電, low power process的Vt較高,若要達到相似的performance,則要靠電路技巧與MOS sizing來回補, 至於同一片wafer所切出來的die一定會分bin,不同bin除了代表不同failure外,也可順便sorting出不同performance的chip, 以便接著的package可以打上不同part number。 此文章於 2006-02-10 07:03 PM 被 absolute 編輯. |
|
![]() |
![]() |