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Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2003 您的住址: 關弓.玄英宮
文章: 2,194
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引用:
再跑一下R.S.T或是memtest測一下記憶體就更穩當 ![]()
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「十二国記」紅蓮之標 黃塵之路--按我短片欣賞 |
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Major Member
![]() 加入日期: Jan 2003
文章: 108
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請問一下什麼是R.S.T軟體啊?
哪抓的到呢? 想抓來測看看!! 謝謝!! |
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Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2003 您的住址: 關弓.玄英宮
文章: 2,194
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引用:
Ram Stress test,是一個測試記憶體的軟體。 站上有網兄po過下載點及用法,你用RST或R.S.T.搜尋一下。
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「十二国記」紅蓮之標 黃塵之路--按我短片欣賞 |
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Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Jul 2002 您的住址: 高雄
文章: 17,417
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MEMTEST86+ 下載網頁:
http://www.memtest.org/ 建議下載 1.30 版本,開機磁片版下載: http://www.memtest.org/download/1.3...1.30.floppy.zip MEMTEST86 v3.0 和 v3.2,還有 MEMTEST86+ 的測試方法都一樣: MEMTEST86 v3.0 在 windows 之下解壓縮之後,有一個 install.bat 的檔案,先放空白磁片在軟碟機裡面,再去點 install.bat 兩下,輸入 A,然後按 Enter 一下,就會製造一片磁片了,然後重新啟動電腦,把磁片放到軟碟機裡面,然後就會自動載入程式以及開始測試。〈當然要設定軟碟機是第1 開機順位才可以〉 使用 MEMTEST86 v3.0,如果要測試全部 11 個模式的話,開機磁片載入程式之後,請按下鍵盤上的 C→2→3→0〈這是數字0,不是英文字O〉,在輸入數字的時候要從主鍵盤輸入,從鍵盤右邊的數字九宮方格裡面按是無效的哦! 這樣就會測試 8~11 的模式,光是 11 模式所需的時間,就比前面 1~10 模式還要更久,測試過 DDR333 512MB,測完全部 11 個模式花了 7 個小時,〈XP 1700+,166 外頻同步〉。 另外,ASUS P4PE + P4 2.4BG + 創見 DDR333 512MB*1〈茂矽顆粒〉,只需要跑 41 分鐘就測試完了,好快ㄚ! 此外,需特別感謝 www.ocfiles.com.tw〈ocfiles.com.tw〉站長以及副站長的教導,不然我還是只會跑測試預設值的 7 種模式,8~11 還是跑不出來的啦! 因為會被 軟體內 0 是代表 CANCEL 的英文字騙了,如果去按 8 是代表 RESATRT,結果還是會只有測試 1~7 模式而已,請大家多多注意! |
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*停權中*
加入日期: Feb 2005
文章: 1,600
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大大!
引用:
請教您一個有趣的問題~ 拉高外頻一般來說比之參數最佳化較為嚴苛,請問一般可以DDR600-1T同步的記憶體,在測試MEMTEST86+ 時,真的可以11項ALL PASS嗎?此其一 再者,弟試過DDR400,CL2-2-2-5參數測DOS版的MEMTEST86+,結果六個小時下來出現了307個錯誤.....TCCD,換成視窗版的Memtest又測六個小時,645%,反而只剩下5個erroy,難不成版本不同測試的結果也不同? 之後有試了一下PRIME95的Blend,十分鐘亮黃燈,果真應驗了記憶體的協調出了問題,回想賣家的說法,DDR560可以過測ODS版的MEMTEST86+,1~7項26圈之多,那是什麼問題? 延伸之想,真有人的記憶體DDR400參數最佳化時,測MEMTEST86+DOS可以11項ALL PASS嗎?那這條RAM要拉高外頻而穩定應該也會比較穩定吧? 問題很多,實是小弟用了一個星期測試卻無結論之問,願大大助我疑難,謝謝!! ![]() |
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Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Jul 2002 您的住址: 高雄
文章: 17,417
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1.
通常不會過,就算是 DDR6000 的規格,要 1T 能過也不容易。 2. 本來就是 DOS 版本比較準。 3. MEMTEST86 最常出現錯誤的,是 5、8、10、11。 4. 每一種顆粒的特性不一樣,當然有可以最佳化的顆粒,之前最容易最佳化的顆粒,是華邦 BH-5(有很多仍然需要加壓),目前則是有很多網友,是降下規格跑,買 三星 TCCD 顆粒的記憶體,然後不要跑到標準的頻率,降下工作頻率,然後優化記憶體參數。 |
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*停權中*
加入日期: Feb 2005
文章: 1,600
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謝謝bob大的指點,小弟受教~
遲來的感謝為小弟之粗心,並非無心,真的謝謝您不日的說明與教導,是個頂不錯的人~ |
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Power Member
![]() ![]() 加入日期: Dec 2002 您的住址: 雲巔
文章: 523
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在下認為優化參數比拉高外頻重要多了...
差距在DDR100以內...還是優化參數效能比較明顯.. |
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Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Jul 2002 您的住址: 高雄
文章: 17,417
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看平台,K7、K8 記憶體參數比較明顯;
![]() P4 的架構,則是高外頻,效能會明顯的爆發出來! ![]() |
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