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美光今天宣佈推出新型2Gb、4Gb DDR3 DRAM顆粒，時鐘頻率1066MHz，等效數率2133MHz，非常適合高性能網路和獨立顯卡使用。

這種新型顆粒採用採用30nm工藝製造，96-ball或者78-ball FBGA封裝，容量配置有128Mb×16、256Mb×8、256Mb×16、512Mb×8等四種方式，核心電壓僅為1.5V，循環時間938皮秒，時序CL=14。

美光表示，該顆粒主要有兩種用途，一是針對向高性能網路，以低功耗滿足網路影片、雲端遷移、超多用戶對系統頻寬的需求。這方面美光與LSI進行了合作，並且會專為網路用途提供2GB ECC UDIMM DRAM。

另外一種用途就是在顯卡上做顯存使用，可為主流和低階顯卡提供成本優化的方案，比DDR3-1600多出三分之一的頻寬。這裡美光的合作夥伴是AMD，相信AMD顯卡不久後就會用上這種新VRAM。

美光的這批新顆粒已經開始試產，並會在今夏投入量產。