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英國倫敦大學學院(University College London；UCL)的研究員已開發出可在一般環境條件下運作，且純粹以氧化矽為材料的電阻式記憶體(Resistive RAM)。

根據EETimes和BBC等網站報導，電阻式記憶體通常使用氧化金屬為材料，當外來電壓通過時，其電阻即產生改變，即使關閉電流後，也會「記憶」這些改變。

憶阻器(memristor)的電子特性，適合應用到電腦運算，和更快、密度更高的記憶體。第1個憶阻器原型於2008年問世，距其理論初次提出已37年。研究人員表示，電阻式記憶體的儲存能力遠大於現用的快閃記憶體，所需電力及空間也非常小。

目前開發中的其他電阻式記憶體，大都需要昂貴或稀有物質，且必須在真空環境內運作，UCL的晶片可在一般環境內運作，因此可能更便宜、更耐用，或發展為觸控螢幕和行動裝置使用的透明記憶晶片。

研究員表示，現有的快閃記憶體在儲存密度上已達極限，且耗電相對較高，速度也不夠快。UCL開發的電阻式記憶體，耗電量只有標準快閃記憶體的千分之一，存取速度則快上百倍，加上不受真空環境限制，若能與既有的半導體製造技術相容，潛在的應用相當驚人。

這項突破也是在意外中發現。研究團隊最初是想利用氧化矽製作LED，卻發現氧化矽在其裝置上形成的薄膜變得不穩定，檢查後才知其電阻產生變化，已經成為憶阻器。UCL團隊最近將成果發表在「應用物理學期刊」(Journal of Applied Physics)。未來研究團隊除了繼續開發記憶體方面的應用，也準備試驗這項技術能否用在電腦處理器。
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