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Major Member
 
加入日期: Mar 2010
文章: 166
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新巨的最強武力 EMACS GP2-5400V MOD 改裝測試.
有經驗的玩家都知道，一款性能良好的電源產品，不但可以滿足自己硬件的功耗需求，
同時還可以保證系統運行時的穩定性，所以從某些角度來說，一款做工性能良好的電源， 其存在的重要意義不亞於顯卡、處理器等。這次要改裝的是新巨的電源供應器，使用時間 約莫三年左右，改裝過後會不會比原裝新品獲得更為強大的輸出動力，看下去就知道!!  電源銘牌.  內部電源的二次側低壓輸出部分採用了目前最新的+12V同步整流 + DC-DC結構，並且可以讓 12V、5V、3.3V的交叉調節能力達到最優，其中在DC-DC模組中還採用了固態電容。  因電源供應架構改變及轉換效率的提升，不再需要大尺寸的變壓器.  一級EMI濾波部分採用一體式模組化EMI濾波器，其外殼包覆可以有效隔離雜訊的干擾, 上方再改裝加上一枚金屬膜電容,輸入電壓雜訊再抑制.  在高階電源架構中常見的繼電器搭配白色的水泥電阻取代傳統NTC(負溫度熱敏電阻) 來做為電路的隔離並且提供湧浪電流保護開關功能，減少電源供應器在運作時產生的電能消耗.  二級EMI濾波.  整流橋的部分原本使用新電元D15XB60H(600v 15A@107℃)改裝為D25XB60 (600v 25A@98℃)最大可傳輸25A的電流，理論上 110V 電壓下可以提供 2750W 功率輸出， 按照 80% 轉換率計算也可以提供 2200W 功率輸出，相對於額定 400W 的這款電源來說， 留出的余量足夠多了。  高壓側部分的Power Mosfet APFC及開關管，20N60S5及FQPF3N80C.  原本只有一枚20N60S5(650V 20A 0.19Ω @ 25℃ 208w)，筆者將空焊的位置補上另一枚 20N60S5並聯來增加輸出功率.   二次輸出側的部分由於採用DC-DC架構，因此+12v使用兩枚IRFB3307 Power Mosfet 75v 130A並聯輸出，整體功率可達260A @ 25℃(理論值)，+5v為MBR2060CT 60v 20A.  筆者將原本PCB的空位補上並改為四枚Power Mosfet IRFB3207，每枚耐壓75v，輸出180A， +12v整體功率可達720A@ 25℃(理論值)，+5v改為蕭特基V60100C 100v 60A， 上方再並聯一枚63CPQ100 100v 60A ，+5v整體功率可達120A@ 25℃(理論值)， 增加輸出能力提升穩定性，並且大幅降低全負載時所產生的高溫.  背面.   PWM電源管理子板，從上面的型號可以得知這片IC板也同樣應用在高瓦數的電源供應器上.  二次輸出側散熱片上的測溫點.  分離高低壓信號的光耦合製作在背面PCB上，原本為Cosmo 1010 60v CTR130~260% 改為Toshiba TLP421 80v CTR100~300%   電容改裝，並聯多枚4700uf 16v電容，+12v.+5v.+3.3v輸出容值再增加.  擠得滿滿的料..  接下來是負載測試.      從上面的負載測試中可以看到輸出電壓接近一直線，也就是俗稱的心電圖， 改裝完成後筆者感覺電腦穩定度大幅提升，開啟瀏覽器及多種應用程式同時玩 單機遊戲也不會有延遲的感覺，總的來說，不管你的週邊零組件功能有多麼強大， 還是得需要一顆穩定又耐用的電源供應器才能發揮它應有的實力， 改裝報告至此，謝謝觀看!! |
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2011-10-09, 03:34 PM
#1
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Golden Member
加入日期: Jan 2006
文章: 2,549
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引用:
"開啟瀏覽器及多種應用程式同時玩單機遊戲也不會有延遲的感覺" 有這麼神  將來玩遊戲lag,GPU/CPU也不用升級了直接升級PSU嗎 |
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2011-10-09, 03:57 PM
#2
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Senior Member
加入日期: Dec 2001 您的住址: 高雄愛河邊
文章: 1,451
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換承受規格更高的主動零件應該可以,可是增加一些原本就沒有的主動零件,除非很懂整個線路安排, 不然不建議自己增加
加一些濾波的被動元件應該比較沒差 其他的給狼大講解 |
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2011-10-09, 04:13 PM
#3
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Major Member
加入日期: Mar 2010
文章: 166
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引用:
並不是這個意思,只是改裝前後相比較的結果. |
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2011-10-09, 04:25 PM
#4
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Major Member
加入日期: Mar 2010
文章: 166
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引用:
這個部分是有風險的當然得自行承擔,從以前改裝到現在還沒把電腦炸掉過就是了.  |
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2011-10-09, 04:29 PM
#5
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Golden Member
加入日期: Dec 2002
文章: 3,258
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感謝樓主分享!
Power確實有可能造成系統延遲, 小弟一台sempron 2500+最近搬出來使用, 發現滑鼠會三不五時頓一下,大概每數分鐘會發生一次,每次約5~10秒, 捲動網頁(pcdvd)也會有頓頓的感覺,但有時又沒有, 直覺判斷是power的問題,便省略其他可能的問題零件之ab test步驟, 直接換上這顆先前維修過的power http://www.pcdvd.com.tw/showthread.php?t=933847 換上後所有問題迎刃而解,原來的power是aopen 350w,已使用多年, 猜測可能是電容老化所致,因此情況不明的延遲,power也有可能為主角之一
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2013 UPCOMING PC-GAME |
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2011-10-09, 05:07 PM
#6
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Golden Member
加入日期: Dec 2002
文章: 3,258
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itsuppli大是學電子的嗎? 能如此改裝的應該是本行吧…
小弟是外行想請教一下 1.光耦合製作在背面PCB上，原本為Cosmo 1010 60v CTR130~260% 改為Toshiba TLP421 80v CTR100~300%,這有什麼實質好處呢? 2.看到pcb背面有嚇一跳,拉了一堆線接大電容,對線路要很熟才能這樣拉吧? 是否在12v(或5v、3.3v)輸出和ground間另焊接線來接電容正負腳即可? 另外把電容拉到上面是否會影響散熱空間並阻礙氣流流動呢? 3.之前聽聞power瓦數取決於主要功率變壓器(不知是否正確), 因此如此改裝並不能增加power總功率, 但理論上能增加power高負載之穩定性及降低廢熱之產生, 不知如此說法是否正確?
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2013 UPCOMING PC-GAME |
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2011-10-10, 12:03 AM
#7
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*停權中*
加入日期: Sep 2010
文章: 511
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引用:
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2011-10-10, 09:15 AM
#8
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Major Member
加入日期: Mar 2010
文章: 166
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電源供應器也超頻.
引用:
這位兄台您好,我並不是本行,只是偶而拜讀網路上的電源供應器測試文章自己玩出些小小心得罷了, 反正就正接正負接負上電讓它跑就對了.  1.背面的光耦合的部分改TLP421可以比Cosmo 1010輸入工作電流更低以及獲得更大的輸出電流, 更詳細的資料您可自行搜尋相關文獻. 2.其實我是不小心踢到腳邊圓圓的東西(電容)看起來和電源供應器上長的一樣就焊上看看會有什麼下場.. 把電容正負腳並聯您說的部份是正確的(今天是國慶日可以把正負腳交換上電, 看看會發生什麼事  ),電容並聯耐壓不變容值相加,另外因為空間不足所以把電容拉到其他空曠的地方是會影響散熱沒錯,但它同時也會降低單一電容工作溫度獲得更穩定的輸出, 這是空間不足以置入更大靜電容值的電容器解決方法之一. 3.power瓦數取決於主要功率變壓器..我個人認為多幾組3.3v,5v,12v繞組輸出會比此說法要正確些, 當然繞組線徑大小也有關,可以提高穩定性及降低工作溫度,至於Power功率部分牽扯到主要APFC電容. 橋式整流器及Power Mosfet,主要是高壓部分的料件,更詳細的資料您可自行搜尋相關文獻. 各位可以看到它空焊料件的部分很多,而且是有可以變身超級賽亞人的能力,我只是解除它的封印而已.  |
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2011-10-10, 09:55 AM
#9
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Elite Member
  
加入日期: Apr 2004 您的住址: 港都
文章: 6,019
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很有實作味的改裝，現在很少看到這樣的硬體文了
 個人提出一點小小的看法： 1.僅改裝MOSFET對增加輸出功率沒有很大幫助，因為一次側OPP是靠回授電阻回報給PWM IC目前電流值，所以一次側流過的電流到了OPP一樣會截止電源輸出，所以增大輸出瓦數得一起改回授電路(但主變壓器也得一起升級)，改MOSFET最大的好處在於降低交換損失減少廢熱，不過交換MOSFET時要注意控制器驅動能力，必要時要修改G極驅動電路，以免MOSFET因為驅動不良而有反效果 2.二次側SR MOSFET修改也是降低損失及增加效率，不過新巨這款SR並未使用獨立SR控制IC，而是靠變壓器二次繞組去驅動，SR效果與目前使用獨立SR IC的高效率機種有出入 3.二次側輸出電容增設方面，因為空間不夠而使用電線延長方式，會加重電容的ESR(等效串聯電阻)與ESL(等效串聯電感)，而使電容的損失增大，濾波效果變差，可以考慮換用低ESR/ESL的固態電容，並在底部增設低ESR與高頻特性佳的MLCC(積層陶質電容)，利用兩者搭配，會比單純增設傳統電容效果要佳，當然如果在線路輸出靠近插頭端增加並聯電容，也有不錯效果 此文章於 2011-10-10 10:32 PM 被 LSI狼 編輯. |
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2011-10-10, 10:30 PM
#10
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