來源：digitimes 時間：2010年10月14日 10:43

NAND Flash在浮動閘(Floating Gate)技術於20奈米面臨瓶頸，DRAM技術在20奈米製程以下也很難再繼續微縮下去，因此有各種次世代內存冒出頭來等著接棒，包括相變化內存PRAM(Phase Change RAM；PRAM)、磁性隨機存取內存(Magnetic RAM；MRAM)、ReRAM(Resistive Random-Access Memory)、3D VG-NAND Flash等，各幾種次世代內存技術各有擁護者，誰能出線成為主流都還是未定之天。

各種次世代內存都處於研發材料技術的萌芽階段，雖然都號稱3年內可見到量產，但等到技術成熟到實際導入終端產品應用，恐怕沒有這麼快見到，像是三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)等內存大廠也都不只壓寶一種次世代內存技術。

在2009年底時，南韓政府為了要鞏固在全球半導體產業的領導地位，即宣佈要資助南韓兩大半導體廠三星電子和海力士(Hynix)投入研發次世代內存技術MRAM磁性隨機內存。

當時南韓政府預估未來MRAM研發成功後，到了2015年可掌握約45%的內存芯片市場，創造530億美元的產值；而此項合作開發計劃中，南韓政府也會負擔50%的研發費用，估計約240億韓元，而另50%費用則是由三星和海力士負責。

其他投入MRAM的業者還包括IBM、Infineon、Motorola、Toshiba等，未來MRAM的最終目標是整合PC內部所有的內存，未來SoC設計中最後只會剩下CPU與MRAM。

此外，ReRAM也有多家內存大廠投入開發是一種次世代內存技術，像是海力士和惠普(HP)才宣佈共同合作開發ReRAM技術和材料，借重惠普研發超過10年的極小電子組件Memristors(memory resistors的縮寫)的技術，結合海力士的技術來生產開發。

爾必達(Elpida)也宣佈和夏普(Sharp)共同研發ReRam技術，顯示次世代內存的議題不光是內存大廠關心且積極佈局，連下游業者也投入合作開發，以確保未來有效能優異的零組件來導入應用端。

此外，像是PRAM也有多家大廠合作開發，目前全球共分為3個陣營包括英特爾(Intel)／恆憶(現並入美光)、三星、旺宏／IBM。

PRAM技術可較現有的閃存寫入速度快300倍，並可同時支持序列式閃存(Serial NOR Flash)和並列式閃存(Parallel NOR Flash)接口，因此也備受市場看好。

整體來看，目前次世代內存百家爭鳴，究竟誰是最後一統江湖的主流，還有很長遠的路要走，現有的DRAM和NAND Flash內存還能再撐著幾年，未來次世代內存技術要確保能導入量產，並進入終端產品應用，目前許多大廠都各方壓寶，各種內存未來的發展還要再進一步觀察。