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Elite Member
![]() ![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Apr 2004
文章: 14,365
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日本 Elpida 宣佈 50nm 製程 DDR3 開發終了
消息來源︰
http://journal.mycom.co.jp/news/200.../020/index.html 今天,日本DRAM半導體晶片製造廠商Elpida(爾必達)發佈公告稱 其50nm制程的DDR3記憶體顆粒已經研製完成。 50nm制程的DDR3記憶體顆粒能夠在更低的電壓下達到更高的傳輸速度 功耗也降低不少,其基本電壓為1.2V,速度為2.5Gbps。 該50nm制程的DDR3顆粒採用了其銅互連技術 以及業界最先進的193nm(ArF)浸入式光刻技術製作。 晶片面積小於40mm2,工作電壓可設定為1.2V、1.35V或1.5V,頻率最高可達到2500MHz。 Elpida將會在2009年第一季度大規模生產50nm制程的DDR3記憶體顆粒。 50nm 製造 SDRAM︰ ![]()
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Golden Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Aug 2004
文章: 2,892
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加油
趕快把技術給力晶跟瑞晶吧 這樣便宜的DDR3 12GB插滿就不是夢了 ![]()
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Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Nov 2000 您的住址: 台灣
文章: 778
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希望趕快把DDR3技術轉移給國內廠...
不然DDR2 還在做單一條2GB,4GB又難做,賺不到錢,對消費者是相當不利的... 要是半導體都倒光了,這樣子就會恢復一條上千元的記憶體><~ 希望DDR3也跟DDR2一樣便宜... |
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*停權中*
加入日期: Nov 2006
文章: 3,946
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DDR3 2500
.......JEDEC制定的DDR3 1333完全沒人鳥 ![]() |
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Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Mar 2006 您的住址: On Chip
文章: 2,202
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先不看頻率, 光是50nm製程+1.2v工作電壓, 就是一個進展了, 超適合導入NB平台呀
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Power Member
![]() ![]() 加入日期: Jan 2002 您的住址: 心肌橋
文章: 640
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50nm? 印象中三星是推進到45nm, 還是我記錯了
爾必達考慮什麼原因而不直接用45nm製造 依照這種設計來猜的話, 有沒有可能出現DDR3 1600 CL7 4Gb或8Gb的顆粒 還有DDR3的頻寬換算成Bps跟網路一樣嗎? 一直搞不清楚 衷心請好心人士給我有關的資料讓我K一下, 感謝 ![]() |
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*停權中*
加入日期: Nov 2006
文章: 3,946
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引用:
網路頻寬、流量算法的Gbps = Giga bit/sec 硬體容量算法的Gb = Giga bit 一個有加上sec(秒),一個沒有 ![]() 此文章於 2008-11-29 12:40 AM 被 zohar 編輯. |
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Senior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: Feb 2003 您的住址: 達拉星球
文章: 1,142
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真快
沒想到才換一年的電腦又要升級了 每年過年都是升級電腦的好日子..... |
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Power Member
![]() ![]() 加入日期: Jan 2002 您的住址: 心肌橋
文章: 640
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引用:
呃, 應該是我沒寫清楚 我清楚容量的意義, 只是我不清楚的是爾必達的這個製程所製造出來的最快頻寬是如何換算成常用的如DDR3 1600這種規格 |
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*停權中*
加入日期: Nov 2006
文章: 3,946
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引用:
那個1600是時脈啊.....不太了解您的意思 ![]() |
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