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Power Member
![]() ![]() 加入日期: Sep 2003
文章: 689
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贏在電壓 SamSung DDR3-1066 超頻 DDR3-1500 還不夠?
隨著 INTEL 發布 BEARLAKE 之後,也正式宣告進入 DDR3 世代的記憶體時代。
根據 JEDEC DDR3 的相關消息, DDR3 從 800 到 1600 ,CAS延遲時間 5~11,和DDR2互別苗頭 擁有的優勢為低電壓,高時脈,對DDR2會有什麼衝擊?預計2009年DDR3模組能 完全接替DDR2,那麼今年的BEARLAKE搭配DDR3暖場的性能表現是不是讓人滿意呢? JEDEC DDR3 SPEC ![]() 從INTEL-955XE至965P晶片組一路走來,還記得那些 IC 在 DDR2 的時代讓你印象深刻?來回顧一下還記得那一些模組成為超頻的經典,在DDR2即將畫完結局時,高時脈 1333MHZ 及參數為 5.5.4.5 ,以高時脈優勢搶下DDR2的最強效能,也可以預計的,當高延遲高時脈成為性能的指標時,DDR3 未來能取代 DDR2 也是早晚的問題,畢竟除了效能之外,低電壓也是DDR2追不上的。 ELPIDA 1000~1066 5.5.5.15 2.35V FATBODY 1000 4.3.2.4 2.3V FATBODAY 800 3.2.2.4 2.3V PSC 800 4.4.4.12 1.8V~1.9V HYNIX 900~960 5.X.X.X 1.8~1.9V D9GKX 1066 4.4.3.4 2.4V D9GKX/GMH 1200 4.4.4.12 2.7V GMH 1333 5.5.4.5 2.7V Infineon 1066 5.5.5.15 1.8V 很嘲諷地,在DDR2,我幾乎沒測過另外一對的SAMSUNG,對DDR3的初體驗,卻是從SAMSUNG開始。 SAMPLE 版的 SAMSUNG DDR3-1066(PC3-8500 CL7 1.50V),單面 1GB ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() SAMSUNG DDR3-1066 CL7.7.7.20 1.50v SPD 可能因為是SAMPLE,在SPD還有寫入1200 CL8 ![]() 經過二天對DDR3的初體驗,低電壓1.60V OC 1500 9.8.8.9 的性能表現和 DDR2 1000 4.4.3.4 2.30V 旗鼓相當了。 SAMSUNG 1066CL7 oc 1500 9.8.8.9 1.60V , SUPER PI time :14 m 07.640s ![]() Stress PRIME over 24H 1500.9.8.8.9 1.60v ![]() comparsion platfrom: DDR2-1000 4.4.3.4. ON gigabyte DS3P-P35 SUPER PI time:14m 05.250s 512MBX4 DDR2-1250 4.4.4.5 ON gigabyte DS3P-P35 SUPER PI time:13m43 515s 512MBX2 DDR2-1250 5.5.4.5 ON gigabyte DS3P-P35 SUPER PI time:13m45.625s 512MBX2 Testing review : http://www.xfastest.com/viewthread....&extra=page%3D1 ![]() DDR2-1000 4.4.3.9 ON abit IP35 PRO SUPER PI time: 13m59.578s DDR2-1200 5.5.4.5 ON abit IP35 PRO SUPER PI time: 13m49.812s DDR2-1200 4.4.4.9 ON abit IP35 PRO SUPER PI time: 13m39.859s Testing review : http://www.xfastest.com/viewthread....&extra=page%3D1 ![]() Samsung DDR3-1066CL7 oc 1500 Comparsion Chart ![]() 測試設備: 處理器:INTEL E6850 7X500 主機板:abit ip35 pro & gigabyte ds3p-p35 & asus p5k3 deluxe (ddr3) 可以很清楚的看到,ddr3-1500 9.8.8.9 一直在後面追著 ddr2-1000 4.4.3.4,更高時脈的ddr2則是望塵未及 當然超頻 DDR3-1500 9.8.8.9 只是剛開始起步,不過別忘了,JEDEC的DDR3 OPEN PAGE 則是從 800 CL6 為低端向上1600 CL9 面對現在DDR3還是處於高價,而DDR2-1000 4.4.3.4應該不難找,如果順利的話,預設DDR3-1600 CL7則是能完成性能取代DDR2的地位 如果看不懂或不相信SUPER PI 32M 反應在RAM的效能上,還有一個可以很清楚的看出差別,"MEMORY LATENCY" DDR3-1500 9.8.8.9 72.5ns @ asus p5k3 deluxe ![]() DDR2-1000 4.4.3.4 63.6ns @ abit ip35 pro ![]() 結語: DDR3 才剛起步,預計 DDR3-1600 CL7 能取代DDR2-1333 CL5,而現階段的 DDR3 除了贏在電壓優勢外,高時脈的記憶體也能提供給處理器 更外的外頻,不過 750外頻還是IMPOSSILBE! MORE TESTING AT XFASTEST http://www.xfastest.com/viewthread....&extra=page%3D1 |
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Advance Member
![]() ![]() 加入日期: Mar 2007
文章: 308
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等2G的DDR3-1600普及之後,說不定DDR4就開始要大舉進攻了,如果不及的人,我看再等等吧
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