◎CL（CAS Latency，tCL）：行位址控制器延遲時間

　或稱CAS Latency（Column Address Strobe Latency） Time、CAS Timing Delay。tCL是：從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需的時序數。CPU在存取DRAM時，會先動到RAS（列），然後在動到CAS（行），所以RAS第一次會用到，接下來如果都是存取同一行，就只會動到CAS，因此CAS Latency的時序設定影響系統最劇。而且記憶體模組商通常會把最佳的CL值標示在標籤上。SPD晶片會記錄此值。


　◎RCD（RAS-to-CAS Delay，tRCD）「列位址至行位址延遲時間」

　或稱RAS to CAS Delay、Active to CMD。tRCD是：在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時序數。對DDR2來說，tRCD值就等於「RAS-to-CAS command interval值」＋「AL值」。SPD晶片會記錄此值。


　◎RP（RAS Precharge Time，tRP）：列位址控制器預充電時間

　或稱RAS Precharge、Row Precharge、Precharge to active。tRP是：對迴路作預充電所需的時序數，以決定列位址。SPD晶片會記錄此值。


　◎RAS（Row Active Time，tRAS）：「列動態時間」

　或稱Active to Precharge Delay、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。tRAS是：當一顆記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址時，所造成的延遲時序。SPD晶片會記錄此值。


參考資料
http://tw.user.bid.yahoo.com/tw/sho...&u=%3ashiulb.tw

資料來源...YHAOO知識