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TIR
Amateur Member
 

加入日期: Mar 2004
您的住址: 基隆河3號
文章: 39
記憶體速度 PC3200 (200 MHz)← 這不是400MHZ嗎?

記憶體模組內容
模組名稱 Transcend TS64MLD64V4F3
序號 000152CDh
模組大小 512 MB (2 rows, 4 banks)
模組類型 Unbuffered
記憶體類型 DDR SDRAM
記憶體速度 PC3200 (200 MHz)← 這不是400MHZ嗎?
模組寬 64 bit
模組電壓 SSTL 2.5
錯誤偵測方法 無
更新率 減少 (7.8 us), Self-Refresh
最高 CAS 潛伏 3.0 (5.0 ns @ 200 MHz)
次高 CAS 潛伏 2.5 (6.0 ns @ 166 MHz)

記憶體模組功能
Early RAS# Precharge 未支援
Auto-Precharge 未支援
Precharge All 未支援
Write1/Read Burst 未支援
Buffered Address/Control Inputs 未支援
Registered Address/Control Inputs 未支援
On-Card PLL (Clock) 未支援
Buffered DQMB Inputs 未支援
Registered DQMB Inputs 未支援
Differential Clock Input 已支援
Redundant Row Address 未支援

這是正確嗎??
     
      
__________________
超新手!!!!!不懂又愛裝懂!!!
舊 2004-12-15, 10:17 PM #1
回應時引用此文章
TIR離線中  
sibili
Major Member
 

加入日期: Oct 2003
您的住址: 第六軍團砲兵營裡頭
文章: 191
非常正確
因為它是DDR SDRAM
 
舊 2004-12-15, 10:22 PM #2
回應時引用此文章
sibili離線中  
titan0731
Junior Member
 
titan0731的大頭照
 

加入日期: Aug 2004
您的住址: 台中縣大甲鎮
文章: 934
ddr的速度會乘兩倍
也就是說是傳統SDRAM的兩倍
所以這很正常
舊 2004-12-16, 10:42 AM #3
回應時引用此文章
titan0731離線中  


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