消息來源

隨著2K、4K遊戲時代以及VR內容的興起，對顯卡的VRAM提出了更高的要求，包括容量、頻寬（速度）、封裝大小等。

現在SK海力士和三星已經投入HBM3的研發中，目前，HBM2已經開始量產，並用於NVIDIA Tesla產品、未來的AMD Vega上去。相較HBM一代，HBM2實現了最高容量32GB，頻寬加倍至1TB/s（HBM2 VRAM單顆粒容量可以達到2GB、4GB和8GB，頻寬也從128GB/s加倍到了256GB/s，最高搭載4組HBM VRAM，頻寬等效4096bit，總頻寬高達1024GB/s）。

至於HBM3，頻寬最高2TB/s，容量增大到64GB，工業方面，則是新一代的TSV（矽穿孔）技術，堆疊的Hi更緊密，得以容量擴展，但體積不增加。

不過我們知道，HBM目前都是用在A/N兩家的頂級產品上，顯然不親民。本次的HotChips上也分享了可視為HBM1.5的低成本HBM方案，相對於HBM一代，針腳頻寬從2Gbps提高到3Gbps,穿孔數減少，對DRAM顆粒的要求也降低。

還有HBM1.5的頻寬會刪減為512bit。有趣的是，曾經作為堆疊快閃記憶體技術另一家的美光也談及了HMC，它認為HBM是抄襲了HMC，而且抄得很LOW。