日本半導體大廠爾必達(Elpida)與東芝(Toshiba)決定自2011年7月起，增加新款儲存記憶體產量。其中爾必達決定將產能提升至75%，確保搶先開
發出25奈米DRAM的先機，東芝則決定於2011年9月將產能提升至60%，穩定技術領先地位。

爾必達決定至2012年3月止，加強日本廣島工廠和台灣工廠的產能，讓30奈米之後的新款DRAM生產比例提高至75%。

爾必達在2011年6月底的新款DRAM生產比例為15%，而產業龍頭南韓面板大廠三星電子(Samsung Electronics)的比例估計為50%。爾必
達預估三星最快將於2011年12月推出25奈米DRAM，因此刻意猛衝產量，鞏固率先開發25奈米DRAM所帶來的先機。

爾必達於2011年5月創下世界首例，成功開發25奈米DRAM，同時該公司重新檢討DRAM設計電路，創立能用較低成本生產DRAM的方法，使設備投資成本控制
在以往的3分之1到4分之1，能以較南韓、台灣、美國等同業更低的成本，生產新款DRAM。

世界第2大快閃記憶體廠東芝，決定讓設置於日本三重縣四日市的新工廠，成為專門製造新款24奈米、19奈米記憶體的中央工廠。該公司以往新產品都採少量生產政
策，本次趁著新工廠成立，決定在2011年9月一口氣將生產比例提高至60%。

東芝在快閃記憶體的微細化技術，一直是世界指標，與三星約有半年的技術差距，但和英特爾(Intel)及美光(Micron)競爭激烈。該公司計劃設立新工廠，並
大量生產新款產品，確保對海外大廠的優勢。

半導體業界中，日本企業的稅務與人事費用、水電等雜項支出，都比南韓、台灣來得吃重。如今又適逢日圓升值、美元下跌，使收益變相減少。因此為增加利潤，大廠決定加
強生產新款產品，讓收益穩定。