以上述原則重測 UMAX DDR2-667 512M*2：

在 M55Plus-S3G(BIOS FD) 的表現仍然不佳，但有網友說在他的 M2N-E 上表現很好，看來技嘉寫 BIOS 的功力還是不如華碩。

在 P5N-E SLI(BIOS 0307)，UMAX 終於發揮應有的實力。固定參數為 5-5-5-15、變動參數為：

1.8V 1T 極限 410*2
1.8V 2T 極限 450*2

2.085V 1T 極限 450*2
2.085V 2T 極限 500*2

感覺上和 Hynix 顆粒有得比。不過金士頓跌好快，和 UMAX 的價差並不大。

我到是沒是過這個組合,來實驗看看..........

我個人一直以為月進越好~
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以前述原則在 P5N-E SLI(BIOS 0307) 再細測金士頓 DDR2-667 512M*2 Hynix 顆粒，
發現其特性蠻怪的。固定參數為 5-5-5-15、變動參數為：

電壓 AUTO、1T：極限 415*2。這也是 1T 的極限，加大壓也不能再進步，調 2T 才能繼續往上超。
電壓 AUTO、2T：極限 475*2。這應該是最能發揮 Hynix 顆粒價值的設定。
電壓 2.178V、2T：可上 500*2。極限懶得找，因「頻率增幅」相較於「電壓增幅」，邊際效用極低，相較於 UMAX 2.085V 就能上 500*2，沒有加壓的價值。

結論：
1.如果是 Intel 平台且主機板中有關記憶體加壓設定很保守者，很適合用 Hynix 顆粒。
2.ClockGen 和 Hynix 顆粒合不來(測半天才發現)，若要軟超，不宜用 Hynix 顆粒。

註： P5N-E SLI BIOS 中 DDR2 電壓設定值有 AUTO、1.920、2.085、2.178 等，我測 UMAX 時是假設 AUTO 等於 1.8V，UMAX 的測試數據似乎也能證實這個假設。

自己推翻上一篇：

電壓設 AUTO 未必是 1.8V，因不能用 ClockGen 測 Hynix 顆粒的極限，因此數據不像 UMAX 那麼線性，但 Hynix 顆粒還是怪怪，固定參數為 5-5-5-15、變動參數為：

1.920V 1T 極限 415*2：這還是 1T 的極限，加大壓也不能再進步，調 2T 才能繼續往上超。
1.920V 2T 極限 460*2
2.013V 2T 極限 470*2
2.085V 2T 極限 470*2：完全不能進步，真奇怪。
2.178V 2T 極限 500*2：突然又能上 500*2，更奇怪。
2.259V 2T 極限 507*2：這應該是 Hynix 顆粒的極限了吧？不敢再加壓了。

承上篇，進一步測試：2.178V 2T 可上 500*2，卻不能上 485*2 及 490*2，關鍵應該是 DDR2 其他細部參數，寫 BIOS 的工程師可能有刻意放寬 500*2 的參數，才會有此結果。

另外，更新 BIOS 至 0505，Hynix 顆粒極限立即「落賽」，好累，不玩了。

漂亮,這點我還沒想到..............

我用M57SLI-S4 (AM2平台,BIOS F7官方最新),說明書上也寫說假如只有插兩條的話,裝在DIMM-1跟2最好(DIMM-1/2是最靠近CPU socket)

另外一點,一般正規的DDR2-800模組 1GB x2,跑1T時極限大概是落在哪裡 ?
我的烙賽創見SEC顆粒只能跑DDR2-775 CL5 1T ........

不同顆粒的 1T 極限肯定不同；同主機板不同 BIOS 都有不同的表現，更不要說不同的主機板。

測這個很花時間，當記憶體超過頭，連 CPR 功能都死當，非拔電池不可，在已裝入機殼又一堆線交織的情況下，真是枯燥無趣，以後大概懶得再測了。

是呀,真的是很累呀~~~
我換到DIMM3/4之後..........................................還是一樣上不去DDR2-800

把其他小參數調低乖乖跑DDR2-775 CL5 1T吧