DDR現貨價維持高檔　NAND Flash需求可望回升

DDR現貨價維持高檔　NAND Flash需求可望回升

文記憶體市場研究機構DRAMeXchange針對DRAM與NAND Flash市場發佈最新調查報告指出，DDR因現貨市場貨源不足與模組廠商庫存減少，價格仍維持高檔不見下滑；而NAND Flash現貨市場出現價格跌深反彈的現象，以2Gb價格表現最為明顯，後續整體市場的現貨價格可望隨著7月底後需求回升而逐漸止穩。根據DRAMeXchange所公佈的數據，上週現貨市場DDR價格小幅上揚，帶動DXI指數由上周3374小幅上漲至3405。該機構指出，DDR顆粒在現貨市場貨源不足及模組廠商庫存減少下，DDR 256Mb eTT價格來到2.41美元已經與DDR 256Mb價格相同。DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz則小幅上漲至4.89美元。 而近期在部份DRAM廠產能吃緊下，也排擠到繪圖卡應用的顆粒，使得繪圖卡廠商必須到現貨市場搜購顆粒，使得DDR 256Mb 16*16顆粒價格上漲到2.19美元。在DDR2部分，現貨市場仍沒有太多的交易量流通，DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)價格維持在4.63美元。DDR2 512Mb 64Mx8 eTT (UTT)價格則小幅反彈至3.61美元。 DRAMeXchange指出，雖然七月上旬電腦系統大廠要求DDR2價格再降至少5%，適逢美國國慶長假而使談判時間拖長，但在供給趨緊之下，多數DRAM廠皆表示庫存已降至一週或以下，價格持平或僅小幅下跌較屬合理。而六月下旬該機構所公佈的DDR2 512MB模組報價，最低價38美元為特別價，一般成交價仍在40美元左右。 因此DRAM廠也表示，七月上旬僅接受38美元為最低價。而「高價」二線客戶的談判空間不若一線客戶，且三星(Samsung)也堅持持平價格。因此，DRAMeXchange所公佈的七月上旬合約價，DDR2以持平開出，價格區間在38至43美元，DDR1則每家漲幅不一，DDR 512MB約上漲1至2美元，價格區間為39至43美元。 展望下旬，有些DRAM廠認為價格持平，有些則認為價格將成功上漲。市場人士認為DRAM供給將持續吃緊，即使電腦大廠拉高庫存量，至九月仍無法避免短缺。因此，DRAMeXchange預估，九月DDR2 533MHz 512MB合約價均價將漲到44至45美元。DDR2 667MHz 512MB，則可能與DDR2 533MHz 512MB維持同價，或僅高1美元，約為45至46美元。 在NAND Flash部分，現貨市場在六月因傳統淡季、廠商半年報和世足賽等因素的交替影響之下，現貨價格不斷持續向下修正。DRAMeXchange表示，原本市場預期七月中之前整個NAND Flash現貨市場需求低迷的狀況將會持續存在，不過在上週四的下午現貨市場開始出現一些變化，2GB/4Gb在現貨供應量稍微緊縮的影響之下，市場需求開始增強使得價格出現反轉向上的跡象，相對也帶動其他規格的上漲力道，整體現貨市場價格開始呈現上升的走勢。 DRAMeXchange指出，Apple、Microsoft及SanDisk等領導廠商下半年都將推出高容量MP3機種，對Flash市場需求具有正面激勵效果。Samsung因此預期7月底後需求開始回升，且一些廠商也看好8~11月的傳統旺季需求，對未來Flash的現貨價格走勢都具有穩定作用。但目前下半年的整體景氣能見度仍不高，所以未來NAND Flash現貨市場的整體價格是否正式開始往上升，可能需要等到7月下旬才能更清楚的判斷。 而因市場預期7月下旬需求將會改善，DRAMeXchange預期NAND Flash現貨市場價格走勢將可望止穩。

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DDR合約價上漲　2Gb NAND Flash價格走高

DRAMeXchange針對記憶體市場發表最新調查報告指出，DRAM現貨市場近期還是未見到明顯的買盤，交易清淡；在DDR部分，由於模組廠商手中仍有庫存，而需求也並未特別強勁，造成價格下跌。至於NAND Flash現貨市場，則僅2Gb價格因缺貨而持續走高，其餘產品價格買氣平淡。

根據DRAMeXchange所公佈的數據，DDR 256Mb eTT上週價格由2.3美元回檔至2.2美元；DDR 256Mb (32Mb*8) 400MHz價格則在2.4美元附近，DDR 512Mb (64Mb*8) 400MHz，價格微幅下滑至4.77美元。但近期力晶告知客戶下個月份DDR顆粒將持續減產，而主機板廠商也告知DDR需求將延續到7月，因此DDR價格回檔幅度還是有限。

至於DDR2部分，近期需求仍不強。但DRAMeXchange指出，AMD支援DDR2 800MHz的CPU已經開始鋪貨到市場，雖然市場上仍難以見到DDR2 800MHz的DDR2，但是仍會刺激少部份喜愛超頻玩家的購買欲望，有助於推升DDR2的部份需求。DDR2 533MHz 512Mb (64Mb*8)價格上週微幅下滑到4.99美元。DDR2 512Mb 64Mx8 N.M.B價格則維持在3.88美元。

在五月下旬合約價部份，DRAMeXchange表示，DDR模組因供不應求，廠商成功持續調漲，各家漲幅不一。但DDR 256MB成交區間大多落在19.5~20.5美元，少數廠商有調漲至21美元。DDR2模組在電腦系統大廠持續要求更低的價格，有些DRAM廠商己做出些微讓步，但仍堅持供給仍舊吃緊。但五月DRAM供貨量，電腦系統大廠認為DDR模組的確不足，但還是試圖避免廠商漲價太多，談判上頗為費力。至於 DDR2雖不至超額供給，但供給已趨順暢。

展望未來，DRAMeXchange指出，DRAM廠普遍樂觀表示，在旺季需求帶動下，供給將持續吃緊，DRAM價格有望全年維持在高檔。而隨著90奈米產出提升及12吋投片量持續拉高，廠商的成本結構將更進一步地降低，因此未來價格走勢除了反映需求端的變化，廠商的成本下降亦會有影響。整體而言該機構預估DRAM廠商的毛利率，將維持在20%~30%左右；對DRAM廠商而言是獲利的一年。

在NAND Flash現貨市場部份，除2Gb價格持續走高外，其餘產品的價格皆呈現微幅上升及下跌的趨勢。整體來說，上週NAND Flash現貨市場的買氣呈現低迷狀態，主要原因在於Samsung和Hynix陸續在上上週對外宣佈調高官價，加上各種規格的NAND Flash現貨供應量明顯減少、貨源不足，因此上週整個NAND Flash現貨交易數量不高。

DRAMeXchange指出，在各種規格中以2Gb的貨源最為短缺，從上週二到本週一這段期間2Gb的顆粒價格漲幅最大，5月16日當天2Gb的價格約在5.6美元，5月17日時上升到5.8美元，最高價格並曾上升至5.95美元，前後漲幅超過6%。其餘規格的NAND Flash在上週四之前產品價格皆有上漲，但幅度不大。其中，16Gb的產品價格開始微幅下跌，之後維持不動。

DRAMeXchange分析師指出，2Gb缺貨的主要原因有以下三點，其一是Toshiba從四月開始已經逐漸不再供應2Gb的NAND Flash，因此造成現貨市場對2Gb的需求往上提升；其二是Samsung目前將其產能轉往4Gb以上的MLC製程，此舉直接影響其2Gb的SLC製程的產出，估計產出少了三分之二左右，造成現貨市場目前2Gb的供給量十分短缺。

此外目前許多DSC和Mobile Phone的銷售店家為了推銷產品，所附贈的小型記憶卡有從128MB往上提升至256MB的趨勢，這個現象也使現貨市場對2Gb的需求更顯增加。至於其他規格的NAND Flash商品，因Samsung和Hynix與客戶談定的合約貨物多數都到貨，因此買家並不急於此時進入現貨市場買貨，所以買氣趨於平淡，價格的變化也較不明顯。