Gigabyte上週在HKEPC Techday大會上，Gigabyte Product Manager -- Rockson Chiang透露了有關未來i-RAM的發展，由於2006年DDR2記憶體將會大幅普及，因此i-RAM會推出第二代的DDR2版本，捨棄了PCI卡的設計，新一代i-RAM將會改用5.25吋Drive Bay，而且更會由最高接口四支DIMM，升提至支援八支DIMM，最高容量提升至16GB，同時備用電池時間亦有所增加。

此外，傳輸接口速度亦大幅提升，由上代只支援SATA 1.5Gb/s，提升至SATA 3.0Gb/s，由於i-RAM的記憶體速度甚高，因此將可完全利用3.0Gb/s頻寬優勢，預計在2006年中旬推出，令人期待。