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1987625
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加入日期: Sep 2005
文章: 15
記憶體要衝極限需要加到3.3v ??(加壓加到心臟跳出來?請幫小弟一下)

其實cpu好超的話,那ram一定要強(除非除頻啦)!不過超頻超久了,個人覺得要最佳化記憶體
比超cpu還複雜(一堆參數....)
小弟我在許多網站所看到的超強ram(像cbb或這裡)那最亮麗的數字
ddr400 2-2-2-5 或最強時脈 ddr400@5xx 1T 的背後都是大電壓~冏

在此小弟有些疑問

1.要最佳化一定要電壓加到如此大嗎?(2.6V->3.3V)這絕對不是小加壓而已!
如果是CPU一定壽命不長,但是RAM禁得起這樣高電壓嗎?我知道顆粒裡面構造單純
而且記憶體就是不斷靠電壓來保持資料判別臨界值.只是這樣長久之下會容易壞嗎?
就TCCD而言本身就可以適應較高的電壓(基本2.7V?)適合加壓壓榨
2.小弟我有一支芝奇DDR500 512MB 感覺爛爛的(DDR500 2.6V預設 2.5-4-3-5最佳)
1T,但是只加到2.7V衝時脈就很鳥 DDR550 3-4-4-5 1T感覺很不值票價(很貴說)
問老闆說是TCCD的那應該有淺力,只是我的POWER只有330W衝3V以上好嗎?
3.跟我一樣型號的大大你們的數據是多少?
4.有沒有人可以幫我解答記憶體加壓的好與壞?(CPU加壓太恐怖)
5.可以附上各位超頻大大的數據嗎(記憶體)

附上CPU資訊 SP2800+ 不加壓可以外頻320 只是RAM感覺很鳥
     
      
舊 2005-11-22, 08:11 PM #1
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