趁著明天颱風天放假,心情不錯,一次把積的一些測試貼一貼

首先看外包裝


使用兩個洞的華邦UTT,保DDR400 2 2-2-5 2.7~2.9V
跟先前極度風光的華邦BH5相同等級





官方規格
* 包裝 : 512MB kit (2x256MB) 1024MB kit (2x512MB) dual channel pack
* IC 顆粒 : Winbond UTT
* CAS 延遲時間 : 2-2-2-5 (PC3200)
* 測試電壓 : 2.7 ~ 2.9 伏
* PCB 板 : 6 層 PCB
* 速度 : DDR 400 MHz (PC3200)
* 腳位 : 184-pin DDR SDRAM
* Registered/Unbuffered : Unbuffered
* 品質控制 : 以雙通道模式通過完整嚴格的測試
* 保固期 : 終身保固

華邦顆粒超頻需要加大壓的特性還是不變
在超頻前,除了體質外,良好的散熱還是佔了幾成因素
與OCZ VX PC4000 DDR500 2 2-2-5 3.3V產品測試中,一樣使用12X12公分的大風扇


測試平台
AMD Athlon64 3000+ 0448&X2 4200+
DFI nF4 LanParty Ultra-D
GSkill 1GBGH
SPARKLE 6200
TOPOWER 520W

先前測試時使用Winchester 3000+ 0448SPAW測試
DDR400時表現



DDR500 1.5 2-2-0 3.24V


用之前CPU Winchester體質在DDR530左右

換上X2 4200+調效半天後,終於達到DDR540 SP2004可運作的狀態




換了不同的CPU Winchester.Venice.X2
比較過後,發現AMD內建記憶體控制越做越好
配合DFI LP強板後,超的更高
但每種CPU記憶體控制器不太相同,同樣上到DDR530以上,BIOS參數都不太一樣

另外華邦顆粒雖然強悍超值
加大壓有高熱產生,雖然高熱可靠風扇解決
但高壓對長期使用有無損壞的影響,目前未明
依電子遷移原理,電壓越高,壽命應該會越短
以上超過官方規格的測試,需要的是散熱.體質與DFI DRAM可加高壓的主機板
叔叔有練過,小朋友不要輕易模仿,參考看看就好