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Amateur Member
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文章: 31
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[問題]記憶體參數 到底代表什麼
小弟現在也在研究如何超頻 目前不懂的就是記憶體的參數
看到BIOS裡面記憶體的設定多的眼花撩亂 想請教一下 那些參數到底代表什麼 要如何設定才能最佳化電腦 |
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Junior Member
![]() ![]() ![]() 加入日期: May 2003 您的住址: 台灣勞工共和國
文章: 725
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記憶體參數是愈低愈好
數值愈低效能愈好,數值愈高效能愈低 通常看你記憶體本身的體質如何 通常超頻都是先超高外頻 然後再來調整記憶體的參數 記憶體參數主要調整以下這4個,還有把2T調整成1T Cycle Time RAS#Precharge RAS#to CAS#Delay CAS#Latency 數值最好的為5-2-2-2.0 1T 基本上DDR400 是調不出這麼漂亮的數值的 大部分的是5-3-3-3.0 1T 或 8-4-4-3.0 2T (如果想衝高外頻的話可調這樣) 基本上還是要你不停的測試跟重開機,才能調整出最漂亮的超頻極限 祝你好運 |
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Master Member
![]() ![]() ![]() ![]() 加入日期: Apr 2004 您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
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關於記憶體參數,一般常出現的,我整理略述如下:
CAS# latency (Tcl) 全名:預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。 例如CL=3,表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。 RAS# to CAS# Delay (Trcd) 全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。 記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列),然後RAM收到列的位置後,經過一段時間,才會再傳送行(Column)的位址,而這一段時間就是RAS Delay Min RAS# active time(Tras) 又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲,我硬翻的..) 一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分),當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。 Row precharge Time (Trp) 全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路,並於一定時間內做自我充電, 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。 -------------------------------------------------- 由於DDR RAM的資料儲存方式,是以一列下去儲存,放滿了或是不夠放,才會換列。 因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。 因此列定址後,只有行在換。也就是說,一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd) 等到行定址後,又要自主記憶體讀取下一N筆資料,而所需的準備時間就是CL值。 因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。 總結上述,這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下,(原本的工作時脈) 其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲,或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間,等等。因此想要記憶體以高時脈運作,則記憶體參數就必須調高(鬆) 否則記憶體容易傳送錯誤資料,或是不穩定。 最常看到的DDR400/DDR500,記憶體參數有 CAS# latency (Tcl) 3.0 RAS# to CAS# delay (Trcd) 4 Row precharge Time (Trp) 4 Min RAS# active time(Tras) 8 也有更高的(傳輸延遲更久的) CAS# latency (Tcl) 3.0 RAS# to CAS# delay (Trcd) 5 Row precharge Time (Trp) 5 Min RAS# active time(Tras) 10 以上參數通常適用DDR500以上。 若您的記憶體體質相當不錯,也可以試試看以 CAS# latency (Tcl) 3.0 RAS# to CAS# delay (Trcd) 3 Row precharge Time (Trp) 3 Min RAS# active time(Tras) 6 體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至 CAS# latency (Tcl) 2.5 RAS# to CAS# delay (Trcd) 2 Row precharge Time (Trp) 2 Min RAS# active time(Tras) 5 所以您看到很多的DDR500,都是以較高的參數 (較長的訊號傳輸延遲來換取較高的運作時脈) ----------------------------------------------------- 通常,超頻與設定記憶體參數是兩回事。 因為首先您要找到最佳的CUP外頻時脈與記憶體時脈搭配, 再來看看系統穩定度,最後才需要嘗試調緊記憶體參數,來獲取更高的記憶體效能。 超頻後最明顯的就是系統運作變的更快。玩遊戲更順暢,SuperPi跑的更外,3DMARK分數更漂亮,然最佳化記憶體參數能夠影響的就是關於記憶體傳輸效能上,若要真的有感覺,其實很難。還是需要用到測試軟體來"體會"效能差異。 以上資料希望能讓大家了解何謂記憶體參數,以及它的應用。 若有錯誤,亦請不吝挑正。 |
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