PCDVD數位科技討論區
PCDVD數位科技討論區   註冊 常見問題 標記討論區為已讀

回到   PCDVD數位科技討論區 > 電腦硬體討論群組 > 系統組件
帳戶
密碼
 

回應
 
主題工具
ryoxman
Amateur Member
 

加入日期: Dec 2004
文章: 31
[問題]記憶體參數 到底代表什麼

小弟現在也在研究如何超頻 目前不懂的就是記憶體的參數
看到BIOS裡面記憶體的設定多的眼花撩亂 想請教一下
那些參數到底代表什麼 要如何設定才能最佳化電腦
     
      
舊 2005-02-27, 01:49 AM #1
回應時引用此文章
ryoxman離線中  
iamvbpciwx
Junior Member
 

加入日期: May 2003
您的住址: 台灣勞工共和國
文章: 725
記憶體參數是愈低愈好
數值愈低效能愈好,數值愈高效能愈低
通常看你記憶體本身的體質如何
通常超頻都是先超高外頻
然後再來調整記憶體的參數
記憶體參數主要調整以下這4個,還有把2T調整成1T
Cycle Time
RAS#Precharge
RAS#to CAS#Delay
CAS#Latency
數值最好的為5-2-2-2.0 1T 基本上DDR400 是調不出這麼漂亮的數值的
大部分的是5-3-3-3.0 1T
或 8-4-4-3.0 2T (如果想衝高外頻的話可調這樣)
基本上還是要你不停的測試跟重開機,才能調整出最漂亮的超頻極限
祝你好運
 
舊 2005-02-27, 01:57 AM #2
回應時引用此文章
iamvbpciwx離線中  
水舞風影
Master Member
 
水舞風影的大頭照
 

加入日期: Apr 2004
您的住址: shinjuku,Tokyo
文章: 2,295
關於記憶體參數,一般常出現的,我整理略述如下:

CAS# latency (Tcl)
全名:預充電時間 (CAS Latency):通常簡稱CL。
例如CL=3,表示電腦系統自主記憶體讀取第一筆資料時,所需的準備時間為3個外部時脈 (System clock)。CL2與CL3的差異僅在第一次讀取資料所需準備時間,相差一個時脈,對整個系統的效能並無顯著影響。

RAS# to CAS# Delay (Trcd)
全名:列控制器至行控制器傳輸延遲(Row Adress Strobe,列位址控制器)to CAS(Column Adress Strobe,行位址控制器) 。
記憶體控制器會先送出列(ROW)的位址(例如第2列),然後RAM收到列的位置後,經過一段時間,才會再傳送行(Column)的位址,而這一段時間就是RAS Delay


Min RAS# active time(Tras)
又稱RAM Active Timing(記憶體活躍延遲,我硬翻的..)
一般記憶體模組有分1bank跟2bank(非單面雙面顆粒之分),當CPU在Bank1找完資料,Bank1便需要一段時間恢復才能再供利用,這一段時間就是RAM Active Timing。


Row precharge Time (Trp)
全名:自我充電時間 (Self-Refresh)。DRAM內部具有獨立且內建的充電電路,並於一定時間內做自我充電, 通常用在筆記型電腦或可攜式電腦等的省電需求高的電腦。


--------------------------------------------------

由於DDR RAM的資料儲存方式,是以一列下去儲存,放滿了或是不夠放,才會換列。
因此位置的傳送常常是(第2列,第2行)、(第2列,第3行)、(第2列,第5行)這種方式。
因此列定址後,只有行在換。也就是說,一直在跑RAS# to CAS# Delay (Trcd)
等到行定址後,又要自主記憶體讀取下一N筆資料,而所需的準備時間就是CL值。
因此RAM的參數中以CAS Latency跟RAS to CAS Delay為最重要。


總結上述,這些記憶體參數選項代表了記憶體在既定的時脈下,(原本的工作時脈)
其DRAM顆粒內部指令傳輸的延遲,或是顆粒自我充電、放電所需時間、準備下一筆、找尋資料時間,等等。因此想要記憶體以高時脈運作,則記憶體參數就必須調高(鬆)
否則記憶體容易傳送錯誤資料,或是不穩定。

最常看到的DDR400/DDR500,記憶體參數有

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 4
Row precharge Time (Trp) 4
Min RAS# active time(Tras) 8

也有更高的(傳輸延遲更久的)
CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 5
Row precharge Time (Trp) 5
Min RAS# active time(Tras) 10

以上參數通常適用DDR500以上。


若您的記憶體體質相當不錯,也可以試試看以

CAS# latency (Tcl) 3.0
RAS# to CAS# delay (Trcd) 3
Row precharge Time (Trp) 3
Min RAS# active time(Tras) 6

體質好的顆粒若跑DDR400 參數可以調至
CAS# latency (Tcl) 2.5
RAS# to CAS# delay (Trcd) 2
Row precharge Time (Trp) 2
Min RAS# active time(Tras) 5

所以您看到很多的DDR500,都是以較高的參數
(較長的訊號傳輸延遲來換取較高的運作時脈)


-----------------------------------------------------
通常,超頻與設定記憶體參數是兩回事。
因為首先您要找到最佳的CUP外頻時脈與記憶體時脈搭配,
再來看看系統穩定度,最後才需要嘗試調緊記憶體參數,來獲取更高的記憶體效能。

超頻後最明顯的就是系統運作變的更快。玩遊戲更順暢,SuperPi跑的更外,3DMARK分數更漂亮,然最佳化記憶體參數能夠影響的就是關於記憶體傳輸效能上,若要真的有感覺,其實很難。還是需要用到測試軟體來"體會"效能差異。



以上資料希望能讓大家了解何謂記憶體參數,以及它的應用。
若有錯誤,亦請不吝挑正。
__________________

________________________
K8超頻圖文教學-終極完美版v3.7pdf /word /txt /Http
舊 2005-02-27, 02:51 AM #3
回應時引用此文章
水舞風影離線中  
DEARHEART
Advance Member
 
DEARHEART的大頭照
 

加入日期: Nov 2004
您的住址: 台北
文章: 312
點這邊
這是天大PO的文章∼~~可以去看看
__________________
孤單陪伴著孤單
感覺的還是孤單
舊 2005-02-27, 06:34 AM #4
回應時引用此文章
DEARHEART離線中  


回應


POPIN
主題工具

發表文章規則
不可以發起新主題
不可以回應主題
不可以上傳附加檔案
不可以編輯您的文章

vB 代碼打開
[IMG]代碼打開
HTML代碼關閉



所有的時間均為GMT +8。 現在的時間是11:58 PM.


vBulletin Version 3.0.1
powered_by_vbulletin 2025。