當Intel的技術研究人員從四年前開始，在美國奧勒崗州Hillsboro市的製程研發中心開發90奈米製程技術時，許多工程師便發現，利用在矽晶通道產生應變的方式，可以產生更卓越的性能，雖然當時並不完全瞭解它的機制。

歷經六個月的研究後，該團隊發現，在源極和漏極區域沉積一矽鍺層，便至少可以提升PMOS的性能達三成之多。「我們花了六個月的時間，才知道如何處理這個問題；」該團隊的一名工程師表示，「但我們得另外再花三年半的時間，並且是在每週工作七天的情況下，才能得到良率。」

但是，Intel在首次宣佈使用某種形式的應變矽時，卻特意模糊此一焦點，僅表示該公司所開發的新技術僅需額外增加5%的成本，即可大幅提升其效率。在稍後於去年十二月所舉行的「International Electron Devices Meeting」中，才提出其所謂「單軸」技術的有關詳情。

當時業界並不看好此一新製程技術，並認定它將會因良率無法提升而終告失敗。這種說法現在看來顯然並不正確：Intel表示，自今年第三季起該公司大多數的處理器均將採用此90奈米製程技術。

然而，在2004年五月，Intel卻提出將取消其名為Tejas的單核心處理器計劃，而改採雙核心的設計。分析師們針對此一宣佈，紛紛提出了質疑：「Intel的90奈米製程技術，究竟出了什麼問題？」Insight64的分析師Nathan Brookwood找到了答案，他說問題就出在Prescott的處理器設計。

一位在Hillsboro研發團隊的電路設計經理表示，他早在兩年前就曾因為注意到Prescott的深層管線(deep pipeline)可能導致耗電的問題而發出警語。他說：「我們曾告訴公司這個問題的嚴重性。由於管線過深，因此必須轉而採用Centrino架構的方向來設計才行。」

無論如何，Intel的製程工程師在90奈米技術創新上立了大功。如果因為Prescott的耗電問題，而被拿來作為不值得在此創新技術上投資的藉口，那終究將會產生反效果；就好像是應變矽一樣，未來，它還必須在時脈速度上再作進一步的提升，即使是應用在多核心處理器的設計亦然。美國由於一向在矽晶方面的研究投資不足，因此，更要當心任何似是而非的理由來誤導研發技術進步的方向。

原文轉自:http://www.coolaler.com/ipb/index.php?showtopic=22032(需註冊才能觀看)

由於LGA775及P4E和P4F都是基於Prescott
所以看來也不需要期待它能跟k8對抗了
高熱無法解決,時脈無法提升
效能跑不出來變成笑能
還是期待P-M吧
看看他何時會回到DT市場