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*停權中*
加入日期: Oct 2003 您的住址: 母獅的胸前... XD
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採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
採用3D垂直設計、突破縮放比例限制Samsung將量產V-NAND快閃記憶體
文: Jack Choi / 新聞中心 文章索引：記憶體 Samsung IT 要聞 為針對嵌入式 NAND 存儲和固態硬碟應用市場，並加速 NANA Flash 快閃記憶體技術發展， Samsung Electronics 6 日於其官方網站中宣佈目前已正式量產採用 3D 垂直設計的 V-NAND 快閃記憶體，採用垂直單元結構，能夠突破目前 NAND Flash 快閃記憶體技術的縮放比例限制，提升性能和面積比的計率，而且也可提升可靠性表現。 據 Samsung Electronics 表示，過去 40 年來， Samsung Electronics 一直專注研發傳統平面結構的快閃記憶體。由於製造工藝技術進入 10nm 製程，其比例限制變得更大，加上可靠性也會受到影響並提升開發成本和時間，因此 Samsung 早前研究利用 3D 垂直設計技術生產 V-NAND 快閃記憶體。 新推出的 V-NAND 利用基於 3D 電荷捕獲型 NANA Flash(CTF) 技術和垂直互連工藝技術，利用垂直單元結構，在單一芯片上可提供 128 Gb 容量，透過這些技術讓 3D V-NAND 能夠提供比現時 20 nm 平面 NAND Flash 多 2 倍擴展能力。 通過全新的 3D 結構的平面細胞層垂直堆疊，在 CTF NAND 的架構中，電荷被暫時放置的非導電層的快閃記憶體中，採用矽氮化物以防止相鄰小區之間的干擾，通過使用 3D CTF 層的 NAND Flash ，並可靠性和速度大幅改善，而且新的 3D V-NAND 也可獲提升 2 至 10 倍的可靠性，同時比傳統的 10nm 級浮柵 NAN Flash 提升 2 倍寫入性能。 更重要的是新技術成就了 Samsung V-NAND 的垂直互連過程技術，可以垂直堆疊多達 24 個細胞層，利用特殊的蝕刻技術，從最高層到最底層打孔連接，隨著新的垂直結構，增加 3D 細胞層而不必繼續平面縮放，讓 Samsung 可以實現更高密度的 NAND Flash 產品。而據瞭解，目前 Samsung 已就 3D 存儲技術上擁有 300 多項專利。 據市場分析機構 IHS iSuppli 指出，接目前全球 NAND Flash 快閃記憶體市場市場分析，預期 2016 年 NAND Flash 市場可獲約 308 億美元收入，比較 2013 年預估的 236 億美元有 11% 的複合年增長率。 而據 Samsung Electronics Flash 產品及技術高級副總栽 Jeong-Hyuk Choi, 表示，新的 3D V-NAND Flash 技術是員工多年來努力推動超越傳統的思維方式和追求更創新的方法，以及克服內存半導體技術設計限制的成果 ， Samsung 將大規模生產 3D NAND Flash 產品，並繼續推出具有更高性能和更高密度的 3D V-NAND 產品，藉此有助全球記憶體產業的進一步增長。 http://www.hkepc.com/9882 沒想到第一個量產3D IC的居然是三星  不過這不排除是NAND Flash在設計及製造上比較沒這麼複雜的緣故...  |
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2013-08-06, 03:34 PM
#1
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Elite Member
  加入日期: Mar 2003 您的住址: Vancouver, Canada
文章: 15,006
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DDR 4... where r u...???
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2013-08-06, 03:46 PM
#2
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Regular Member
 加入日期: Sep 2001 您的住址: HsinChu
文章: 76
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引用:
利用TSV做晶片堆疊在DRAM似乎已經算是相對成熟的技術，所以應用至NAND也就不奇怪了 何況三星目前是記憶體技術的頭，這則消息大概就是可以預期高性能、高容量的SSD技術 即將來臨的暗示了! |
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2013-08-06, 03:52 PM
#3
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Advance Member
加入日期: Nov 2012
文章: 412
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引用:
第二家做出來前~商星應該是賺翻了  |
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2013-08-06, 04:06 PM
#4
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Elite Member
加入日期: Oct 2002 您的住址: 另一個地球
文章: 4,558
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引用:
就利頭而言 intel會不會也來做 只是它不用大書特書...
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大家快來加入World Community Grid(BOINC for Android)與Folding@home(Folding@Home for Android)的行列，一同找出重大疾病（愛滋、癌症、帕金森氏症...等）的解決方案 [YOUTUBE]PPc7gsZIk24[/YOUTUBE]           網路果然很危險，動不動就會被告...    發現自己越來越痴漢了...
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2013-08-06, 04:09 PM
#5
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*停權中*
加入日期: Mar 2010
文章: 157
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del...........................
此文章於 2013-08-06 04:23 PM 被 無愛無恨 編輯. |
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2013-08-06, 04:20 PM
#6
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Major Member
 
加入日期: Sep 2012
文章: 171
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引用:
1.這不是3d ic,他只是做成多層互連的結構,跟把其他晶片以3d封裝不同 2.這國內也有在做,下面是旺宏2011年的8層結構 http://goo.gl/npogo0 http://bbs.tianya.cn/post-333-82992-1.shtml 這方面我沒啥研究,不知道它們現況如何了。 3.三星雖然在各種dram,flash的市占,產能居於領先地位, 但在新穎技術上很多還是跟amd一樣都喜歡在ppt上市發售 光amoled tv就2011要開始販售,到2012又說要在奧運前開賣,結果2012 年底又說2013年中,結果一路下去遙遙無期。過程中跟LG兩個時不時又放出 重新檢討amoled技術的可行性,順便跟南韓政府要點錢。 現在又搞個曲面amoled tv...說來說去都是宣示用。與其等他把多層結構 普及我還不如等18吋晶圓普及再加上製程的進步,到時候應該價格跟硬碟有得拚 |
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2013-08-06, 05:26 PM
#7
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*停權中*
加入日期: Mar 2010
文章: 157
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還在想說哪家封測廠這麼厲害, 可以做24層TSV
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2013-08-06, 06:06 PM
#8
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Junior Member
加入日期: Mar 2012 您的住址: 蟹堡王餐廳
文章: 778
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第一家量產3D IC的是intel吧
好像還沒有第2家 [YOUTUBE]d9SWNLZvA8g[/YOUTUBE]
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2013-08-06, 06:22 PM
#9
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*停權中*
加入日期: Apr 2013 您的住址: 火星
文章: 14
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管他怎麼設計, 搭配什麼製程, 我對NAND flash的要求只有
1. 可靠度 2. 讀寫速度 這兩點做不好, 就算是外星科技又如何? |
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2013-08-07, 07:55 AM
#10
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