因為沒有數位相機，所以無法拍照給大家看實際物品
但這RAM的重點不是外在而是內在!
SAMSUNG TCCD，目前為止最猛的記憶體顆粒
不管是高參數高時脈，或是低參數低時脈都是頂尖的表現
小弟我今天拿到以後
迫不及待的馬上測了一下
我敢大膽的說，目前絕對沒有其他顆粒比這個猛

測試環境
P4EE 3.4G @ 300x12=3.6G
A-DATA DDR566 512MBx2
P4C800-E Deluxe Turbo mode PAT全開
記憶體電壓"2.65V" 3:2 DDR480 2-3-3-5


只要少少的2.65V就可以這樣跑，而且是非常穩定
絕對不是只求進個Windows測個頻寬而已
而是可以過Memtest+ V1.1十圈標準測試的穩
(為求時效，只先跑了Memtest+，等未來有空再跑Prime95)
DDR400 2-2-2-5更是只要2.55V就可以穩跑的清粥小菜
這RAM絕對是超頻玩家的最棒選擇!

再補上一張
2.65V 312外頻 5:4 DDR500 2.5-3-3-5