引用:
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作者sutl
DRAM要疊也應該疊在下面，這樣才不會影響散熱。
不過就如你所說的，只能當L4，主機板上還是要裝記憶體模組，這樣一來從L3架構到L4能提升多少性能？(連HBM到現在還是華而不實的東西)
SSD目前的瓶頸不是頻寬，而是IOPS，這是SSD從SATA換成NVMe卻沒辦法大量縮短載入時間的主因。
目前PS5好像是用GPU來加速運算載入，以後可以考慮在IOD上設計專門控制器，最終極的解決辦法就是IOD直接存取顆粒。
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哈哈哈.......你的下方是我講的上方.
成品覆晶, 的確是位於下方. 但, 習慣晶圓, 它的正面在製程中是朝上的.
DRAM 要透過 TSV mount 上 CPU, 就在它上方嘍. 隨後和 interposer 結合,
dice 反倒是朝下. 請參照下圖:
SSD 的 IOPS 要強, 控制器就要強. 用 GPU 直取, 這是用牛的刀在秀身手.
很可惜, 為了 cost, 還有比較細漢. 控制器只能撿人場散光的工藝. 目前是 12nm.
>連HBM到現在還是華而不實的東西
是封裝技術到位了, 但 DRAM 產業一樣沒很爭氣, 耗電產熱高. 去年是 GG 叫陣
DRAM 要自己來. 今年是 NV 黃 sir 搖頭說難孝孤.
無論如何, 即便是少少的 2GB 在 CPU "下方" 直聯, 性能將大突破.
2GB 是我舉的例子. 若 4層堆疊, 就是 8GB 嘍! 這樣大多數人是夠用的.
目前產業能力到此, 有加速的方式, 能上就上吧!