兩年前案子的後續...

三星爆發 DRAM 技術洩密案，三名前員工協助中國長鑫存儲成功開發18 奈米 DRAM 記憶體

根據 Business Korea 的報導，
韓國首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪調查部於 10 月 1 日正式起訴並拘留了三名涉案關鍵人士。
這三人包括某三星電子前高層以及兩位三星電子前研究員。
他們被指控違反了《產業技術保護法》和《不正當競爭防止法》。

據檢方調查，三位涉案人士在離開三星電子後，
轉投曾獲得中國政府高達 2.6 兆韓圜（約新台幣 616 億元）
投資的中國 DRAM 半導體公司長鑫存儲（CXMT）。
其後，涉案人員成為了長鑫存儲第二階段開發團隊的核心成員。
他們被控非法使用了從三星電子洩漏的 18 奈米 DRAM 製程核心國家技術，
並藉此完成了開發工作。
這項洩漏的技術屬於三星電子最新的 10 奈米級 DRAM 製程技術，
該公司當初投入 1.6 兆韓圜（約新台幣 379 億元）開發，是全球首創的技術。

事實上，韓國檢方並非首次調查這起技術洩密案。
此前韓國檢方已偵測到三星電子的核心國家技術外洩跡象，
並透過直接調查，其後起訴並拘留了曾參與長鑫存儲第一階段開發團隊的兩名前三星員工。
而在之後調調查中發現，涉案人進行了一系列的技術外洩動作。
首先是將取得的材料機密轉至長鑫存儲，
隨後涉案人陸續成為長鑫存儲的第二階段開發團隊負責人、負責監督整個開發工作，
以及監督製程開發，並且在當中管理相關作業事務。

最後，三名涉案人透過取得的材料機密，
並在實際取得的三星電子產品後進行相關的逆向工程 ，
最終成功完成了開發工作。
其結果使得長鑫存儲成功量產了 18 奈米 DRAM，
也成為中國第一家、世界第四家掌握此項技術的公司。

韓國檢方表示，此案的涉案人員接受的巨額利益做為參與產品的回報。
其中，涉案三人在長鑫存儲工作的 4 至 6 年間，
收到了高達 15 億至 30 億韓圜（約新台幣 3,550 萬至 7,100 萬元）的高額薪水，
而這筆報酬是他們在三星電子任職時薪資的 3 到 5 倍。