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涉嫌對陸洩漏晶片技術 三星前高階主管和首席研究員被批捕

韓聯社報導，據首爾警察廳產業技術安全偵查隊6日消息，
涉嫌對中國大陸洩露晶片核心技術的三星電子前高管和首席研究員被批捕。

報導稱，曾擔任三星電子和海力士半導體（現SK海力士）高管的崔某（66歲）
和前三星電子首席研究員吳某（60歲）涉嫌違反《產業技術法》和
《防止不正當競爭及商業秘密保護法》，
洩露三星電子自主開發的700多個20奈米技術工藝流程圖用於成都高真科技公司進行產品研發。

據悉，成都高真科技係崔某2021年獲投資後設立，吳某出任該公司高管。

報導說，警方於今年1月申請提捕吳某，但被駁回。
之後，警方補充偵查並再次提請批捕，並一同提捕崔某。
首爾中央地方法院日前批准逮捕。
警方計劃具體調查泄密過程、以及是否獲取經濟利益等。