既然有人提到high-NA EUV
那就來看看新聞

ASML：所有EUV客戶均訂購了下一代high-NA EUV曝光機
https://www.techbang.com/posts/1033...t-generation-of

在發佈最新財報期間，AMSL透露，其存量EUV客戶均訂購了新一代裝置。具體來說，在Intel和台積電之後，三星、SK海力士、美光等也下單高high-NA EUV曝光機了。

像是台積電之前在2022年技術論壇時，研發資深副總經理米玉傑就表示，台積電將於2024年引進高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）曝光機，以協助客戶推動創新；英特爾則在更早之前也宣稱率先取得設備，預計2025年量產。

先前根據韓國媒體報導，三星集團將要下訂10台的高階製程需要用的ASML的極紫外光設備（EUV），預備未來在記憶體、晶圓代工產能可以擴大。

根據韓國裝置商透露，現款EUV曝光機的訂貨價是2000~3000億韓元（約合49~74億元台幣），而高NA EUV曝光機的報價翻倍到了5000億韓元（約合122.5億元台幣）。

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簡單講，就是晶圓代工廠的軍備競賽
大家都下訂，非買不可

至於誰搶第一不是重點，不是搶到頭香就贏下市場
只是有可能拿到量產更先進製程的入場券

台積電一直有自己的步調，穩紮穩打
目前3nm的領先，用的可還是FinFET
而想要彎道超車的三星則是直接用上GAA

用EUV就能量產3nm，對於降低成本也有幫助
至於high-NA EUV要何時用上？用在什麼節點？
後續可以慢慢看，不用腦殘馬上下結論