在底下看到一篇評論，不明覺厲...
@samtsou
@samtsou
7 hours ago
這是我再去年10月就已經提出的NIL問題看法
有關UV-NIL奈米轉壓印技術已經發展一段時間了，就在曝光機被ASML打敗後，日本更是在這技術上投入心力，希望能藉此技術另闢途徑東山再起，包括這次美日2nm合作計畫中，日本這項技術參與的機會也非常之大。這項技術本身就具有許多難以克服的問題，自己初步歸納如下:
1. 產能追不上曝光機，不管你是用滾輪式或是單片壓都一樣
2. 平壓時的壓力分佈不均，晶圓與母模兩者水平面平行性，以及晶圓表面平坦度問題
3. 母模製作對高縱深比(Aspec Ratio)微細溝槽蝕刻時，兩邊垂直面易產生貝殼扇面紋路，導致與光阻沾黏，同時槽頂與槽底的寬度差難控制到相同，不要忘記他是用石英材質，不是一般的半導體用的矽材質。
4. 拔模及曝光時會減損母模抗沾黏薄層壽命，你還沒法當場檢查...