以現有的duv曝光機(193nm波長)，要做出等同tsmc 7nm密度的製程要4重曝光，如果是要跨進到5nm則需要6~8重曝光

DUV要硬幹到6重曝光除非無視成本跟良率，否則以量產要求來說算是不合理的高成本




另，如果持有EUV曝光機(13.5nm波長)則曝光一次就能達到7nm(TSMC)等級