https://technews.tw/2022/08/25/tsmc-n3e/

外媒 Tomshardware 報導，台積電 PPT 從風險試產時間點看，N3E 製程 SRAM 良率明顯高於 N3 製程。有消息指 N3E 的 SRAM 平均良率約 80%，同樣令人印象深刻的是，Mobile 和 HPC 測試晶片良率也約 80%。經良率驗證環式振盪器性能優於 92%。

N3E 製程進展順利不太令人驚訝，因台積電 N3E 稍微降低電晶體管密度，自然良率更高。其他優勢還包括更快運算速度，以及更低功耗。

曲博的分析
https://youtu.be/vSVwKLiYLTc

稍微放大元件尺寸以拉高良率？那還是3nm嗎？
不過良率高就是優勢，反正業界也就三星還算對手
不過三星的3nm搞不好密度/性能/良率通通都更差